將芯片從2D平鋪封裝改成3D立體式堆疊式封裝已經成為目前半導體業界的共識，這種在第三維度上進行拓展的封裝技術能夠有效降低整個芯片的面積，提升集成度。目前業界領頭羊都在3D封裝技術上面努力著，前有臺積電的CoWoS（實際上是2．5D），后有Intel的Foveros，現在三星也公布了自家的3D封裝技術，名為X－Cube。

今天早些時候，這家韓國科技巨頭表示，其新的 X－Cube 3D IC芯片封裝技術已經可以使用，該技術可以同時提供更快的速度和更好的能源效率。

三星的合同芯片制造部門三星晶圓廠已經完成了使用 X－Cube 術的測試芯片的生產，新的 3D 集成電路芯片封裝技術現在已經可以用于制造 7 納米和 5 納米芯片。新技術可以實現多個芯片的超薄堆疊，以制造更緊湊的邏輯半導體。該工藝使用通硅通 （TSV）技術進行垂直電連接，而不是使用導線。

三星宣稱，芯片設計師可以利用其 X－Cube 技術設計出最適合自己獨特需求的定制芯片。由于采用了 TSV 技術，芯片中不同堆棧之間的信號路徑大大減少，提高了數據傳輸速度和能源效率。各種邏輯塊、存儲器和存儲芯片可以相互堆疊，以創造更緊湊的硅封裝。

三星公司表示，這項技術將用于 5G、AI、AR、HPC（高性能計算）、移動和 VR 等領域。據了解，三星代工廠將在 8 月 18 日至 8 月 20 日舉行的 Hot Chips 2020 博覽會期間展示其新技術。此外，三星還在努力改進 5nm 工藝，跳過 4nm，在不久的將來開發 3nm 技術。