（圖源：Nexperia官網）
據外媒報道，功率和分立器件專家Nexperia采用硅基氮化鎵（GaN-on-Silicon）技術，推出第一款大功率GaN場效應晶體管。
Nexperia公司MOS分立式器件業務集團總經理Toni Versluijs表示：“Nexperia準備進軍高壓領域，因此推出這一戰略舉措。現在，我們能夠提供適用于電動汽車（xEV）功率半導體應用的技術。我們的GaN技術已經可以量產，滿足大批量應用。汽車行業是Nexperia關注的重點領域，隨著電動汽車取代傳統內燃機汽車，成為個人和公共交通的首選工具，預計未來20年該行業將顯著增長。”
該工藝在大型硅襯底上生成GaN厚外延層，并獲得合適的外延性能，因此，可以利用標準的150mm晶圓生產線，進行初級生產，具有批量生產所需的可擴展性，以及成本優勢。
650V GAN063-650WSA的柵極電壓為±20V，工作溫度在-55至+175°C之間。產品特色在于，導通電阻低至60 m?，可以減少損耗，支持頻率切換，提高電源效率。重要的是，該產品采用業內常用的標準TO-247封裝，更便于設計者操作，提升產品性能。
GAN063-650WSA GaN場效應晶體管是Nexperia旗下GaN系列設備首款產品，適用于汽車、通信基礎設施和工業領域。
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