韓國兩大存儲器廠前進14納米平面NAND Flash時代。三星電子(Samsung Electronics)傳出將于2016年量產，而SK海力士(SK Hynix)則預定在新的一年結束研發作業，并導入量產體制。

　　韓媒ET News報導，三星14納米平面NAND Flash研發已完成，將于2016年上半投產。三星預定于新年1月31日在美國舊金山所舉辦的ISSCC上，公開14納米NAND研發成果。至于目前正在量產16納米的SK海力士，也進入了14納米NAND Flash的研發。據悉，SK海力士計劃將于2016年上半結束研發，并于年內展開量產。

　　另一方面，日本、美國存儲器廠則沒有技術升級的計劃。東芝(Toshiba)曾表示，15納米已是極限，無法再研發出低于15納米的平面產品。美光(Micron)則是打算集中在與英特爾(Intel)一同研發的3D XPoint技術。

　　三星14納米NAND Flash與16納米產品相較時， 14納米NAND Flash浮動閘極(Floating Gate)約縮減12.5%，晶粒面積縮小，對降低NAND Flash生產成本將帶來貢獻。

　　NAND Flash以在浮動閘極中存放或移出電子(Electron)區分1和0，并借此讀寫與消除資料。若電路線寬更加微細化，浮動閘極的面積也會跟著縮小，導 致能儲存的電子個數減少。而浮動閘極面積持續縮小，可能經常發生資料讀寫錯誤的情況，也讓研發難度更高。15~16納米NAND Flash可以在浮動閘極上儲存的電子數不到10個，而14納米則將會更少。NAND Flash研發始祖的東芝會宣布15~16納米NAND Flash是平面NAND極限的原因也在于此。

　　14納米平面NAND Flash是否為每個Cell能儲存3 bit的TLC(Triple Level Cell)產品也是業界的關注焦點。雖然許多分析都認為，可以儲存的電子個數過少，因此難度相當高。但倘若研發成功的話，將可以成功地降低成本。

　　而此次三星研發完成的14納米平面NAND Flash則是每個Cell可以儲存2 bit的MLC(Multi Level Cell)128 Gb產品。量產則將以內嵌式存儲器(eMMC)、UFS(Universal Flash Storage)介面供應。

　　韓國業界人士表示，雖然三星此次成功研發14納米平面NAND Flash，而SK海力士也開始著手研發，不過除了浮閘有其極限外，以目前的液浸曝光(Immersion exposure)設備生產10納米級產品，費用將非常高昂難以獲利，所以14納米應會成為末代的平面NAND Flash，其后研發方向將朝提高堆疊層數，透過增加集積度壓低生產成本。