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三星加速导入1c DRAM设备 全力推进HBM4量产
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传美光HBM4开发遇阻 量产或将推迟
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消息称三星电子4nm工艺HBM4内存逻辑裸片良率已超九成
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传三星将解散1c DRAM良率小组 直接推进HBM4量产
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英伟达正在尝试调升HBM4规格
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技术逆袭 三星顶级1c工艺将战火全面烧向HBM4
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全球首款HBM4开发完成并准备量产
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传三星HBM4已通过英伟达验证
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美光直言定制HBM内存将在HBM4E时代正式落地
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SK海力士HBM4定价曝光 较HBM3E溢价最高70%
發表于：2025/8/7 上午11:07:00
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消息称三星将在本月向AMD与英伟达等提供HBM4样品
發表于：2025/7/22 上午11:31:00
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传三星1c DRAM良率突破50% HBM4下半年量产
發表于：2025/7/21 上午8:58:00
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英特尔下代AI芯片将采用SK海力士HBM4
發表于：2025/7/2 下午2:23:00
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消息称三星电子7月初向主要客户出样HBM4 12Hi内存
發表于：2025/6/27 下午1:21:00
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美光宣布向多个关键客户出样HBM4 36GB 12Hi内存
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SK Hynix展示全球首款16层堆叠HBM4
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消息称三星电子HBM4内存逻辑芯片进展较佳
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HBM4内存正式标准化 JEDEC发布JESD270-4规范
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创意电子完成全球首款HBM4 IP于台积电N3P制程投片
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下一代HBM4和HBM4E内存冲击单颗64GB
發表于：2025/3/21 上午11:00:00
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SK海力士宣布全球率先向客户提供12层HBM4内存样品
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消息称SK海力士HBM4测试良率再创新高
發表于：2025/2/27 上午11:18:08
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2025年全球半导体产业十大看点
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消息称三星电子已将1c nm内存开发良率里程碑推迟半年
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三星完成HBM4逻辑基础裸片设计
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三星电子已启动4nm制程HBM4逻辑芯片试生产
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消息称三星电子启动下代1c nm DRAM内存量产设备订购
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SK海力士将采用台积电3nm生产HBM4
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消息称特斯拉已要求三星和SK海力士提供HBM4样片
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消息称内存原厂考虑HBM4采用无助焊剂键合
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