10月30日消息，據韓國媒體mk.co.kr報道，由于美光（Micron）的HBM4產品仍難以滿足英偉達（NVIDIA）對性能和功耗的要求，導致美光可能需要重新設計HBM4芯片架構。如果消息屬實，那么將導致美光HBM4的量產延后長達9 個月，這也意味著其在2026年內都將難以實現量產，將錯失英偉達的訂單。

今年9月，SK海力士率先宣布，其新一代的HBM4已完成開發并進入量產，完全滿足客戶的性能要求，支持行業領先的速度，出貨將于今年第四季度開始，并計劃在明年全面擴大銷售。有消息稱，SK海力士的HBM4已經通過了英偉達的驗證。

三星為避免導致其在 DRAM 領域失去主導地位，希望通過其基于更先進的1c DRAM 的 HBM4的大規模生產，來確保對SK海力士的競爭優勢。根據此前的傳聞，三星1c DRAM良率突破50%，HBM4 邏輯芯片良率已達到驚人的 90%。三星HBM4預計將會在今年四季度，目前暫未有延遲跡象。

業界人士指出，HBM4 是針對AI 與資料中心高功耗運算而設計的關鍵元件，對頻寬、功耗與堆疊整合的要求遠高于前代。相較之下，SK hynix 已在上月率先完成全球首條HBM4 量產線，三星電子也在本月的「2025 半導體大展（SEDEX）」上公開HBM4 實品并啟動量產準備，技術差距正進一步擴大。

分析指出，美光若持續落后于SK海力士和三星，不僅將錯英偉達的HBM4的主要采購機會，也可能在新一輪AI數據中心訂單中被SK海力士和三星排擠。市場預期，短期內HBM4 市場仍將由SK海力士與三星主導，美光能否在2026 年重回競爭行列，將取決于其HBM4 設計修正與良率提升的進度。