4 月 20 日消息，SK 海力士 20 日（今天）宣布，公司正式量產基于第六代 10 納米級（1c）LPDDR5X 低功耗 DRAM 的 192GB 容量 SOCAMM2 產品。

從官方獲悉，SOCAMM2  是一款將主要適用于智能手機等移動端設備的低功耗內存，針對服務器環境進行優化的內存模塊，主要面向下一代 AI 服務器等應用場景，具備厚度薄與可擴展性等特性，特別適用于 AI服務器。該產品采用壓縮式連接器，可提升信號完整性且易于更換。

SK 海力士表示，公司采用 1c 工藝的 SOCAMM2，是專為高性能 AI 運算優化的解決方案。與傳統的 RDIMM  相比，其帶寬提升逾兩倍，功耗降低 75% 以上。

寄存雙列直插式內存模塊（RDIMM），則是在存儲器模塊的內存控制器與 DRAM 芯片之間增加可中繼地址、命令信號的寄存器（Register）或時鐘緩沖器（Buffer），適用于服務器和工作站的 DRAM 模塊。

該公司強調，該 SOCAMM2 產品是面向英偉達的 Vera Rubin  平臺設計的。此外，該產品可從根本上緩解數千億參數級 AI 大模型在訓練與推理過程中所面臨的存儲瓶頸  問題，SK 海力士期待其助力能夠大幅提升整體系統的處理速度。

SK 海力士方面還表示：隨著 AI 發展從訓練轉向推理階段，支持大語言模型低功耗運行的 SOCAMM2 作為下一代存儲器解決方案，正備受矚目。為滿足全球云服務供應商（Cloud Service Provider）客戶需求，公司提前搭建起穩定的量產體系。