4月3日消息，據(jù)彭博社報(bào)道，美國(guó)共和黨眾議員邁克爾·鮑姆加特納（Michael Baumgartner）聯(lián)合兩黨議員，于當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四向眾議院提出了一項(xiàng)名為《硬體技術(shù)管制多邊協(xié)調(diào)法案》（MATCH Act）的提案，希望強(qiáng)化對(duì)荷蘭ASML和日本TEL等盟友國(guó)家的半導(dǎo)體設(shè)備制造商的對(duì)華出口，以進(jìn)一步遏制中國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)的發(fā)展。
美國(guó)參議院方面，議員皮特·里基茨（Pete Ricketts）與安迪·金（Andy Kim）也將同步提出配套版本。知情人士稱，面向參議院的“MATCH Act”版本預(yù)計(jì)將于本月晚些時(shí)候推出。
MATCH Act主要內(nèi)容
1、MATCH Act對(duì)“受關(guān)注國(guó)家”（包括中國(guó)）全面禁止出口關(guān)鍵半導(dǎo)體制造設(shè)備（SME），具體包括：
①浸沒式深紫外（DUV）光刻設(shè)備
目前全球僅荷蘭ASML和日本尼康（Nikon）能生產(chǎn)浸沒式DUV光刻機(jī)，這類設(shè)備通過多重曝光最高能夠支持7nm制程芯片的制造。
在美國(guó)的施壓下，荷蘭政府曾在2023年出臺(tái)了有關(guān)先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的額外出口管制的新條例，限制了部分先進(jìn)的浸沒式DUV的對(duì)華出口。但ASML得益于此前從荷蘭政府那里所取得的出口許可證，依然在2023年底之前向大多數(shù)的應(yīng)用于次關(guān)鍵和成熟制程的中國(guó)晶圓制造商出口了一系列浸沒式DUV光刻系統(tǒng)，包括NXT:1980Di，以及被禁的NXT:2050i、NXT:2100i高階浸沒式DUV光刻系統(tǒng)等。即便該許可證失效后，其NXT:1980Di依然是可以對(duì)華出口的。
②低溫蝕刻設(shè)備
低溫蝕刻設(shè)備是3D NAND、先進(jìn)封裝等高深寬比工藝的核心工具。目前在高端刻蝕設(shè)備領(lǐng)域主要供應(yīng)商為美國(guó)應(yīng)用材料和泛林集團(tuán)，以及日本的TEL。
其中，日本TEL擁有完整的刻蝕產(chǎn)品線。比如其主力刻蝕設(shè)備（如用于存儲(chǔ)器生產(chǎn)的超高深孔刻蝕機(jī)）在工藝過程中廣泛采用了低溫技術(shù)來控制化學(xué)反應(yīng)、保護(hù)光刻膠并實(shí)現(xiàn)高深寬比。
2、定向打擊五家關(guān)鍵中企
MATCH Act 計(jì)劃將SMIC（中芯國(guó)際）、YMTC（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）、CXMT（長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)）、Huahong Group（華虹集團(tuán)）、Huawei（華為） 五家芯片制造中企及其子公司和關(guān)聯(lián)企業(yè)列入“受管制設(shè)施”，實(shí)施全面出口限制。
需要指出的是，在此之前，除CXMT之外，其他四家中企都已經(jīng)被列入“實(shí)體清單”。而最新的限制措施則是“實(shí)體清單”的升級(jí)版，限制更為嚴(yán)格，不僅全面禁止出口，還將禁止任何維修服務(wù)和技術(shù)支持。除了以上五家制造企業(yè)之外，中微公司（AMEC）、屹唐半導(dǎo)體（E-Town）、北方華創(chuàng)（NAURA）、拓荊科技（Piotech）、盛美半導(dǎo)體（ACM）、至純科技（PNC）、中科飛測(cè)（Skyverse）、上海微電子（SMEE）、芯源微電子（Kingsemi）、華海清科（Hwatsing）等眾多中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)也被列入其中。
3、強(qiáng)制日荷等盟友在150天內(nèi)對(duì)齊出口管制政策
MATCH Act要求日本、荷蘭等盟國(guó)在150天內(nèi)，將其對(duì)華半導(dǎo)體設(shè)備的出口管制措施與美國(guó)最新的MATCH Act的出口管制政策對(duì)齊。
比如，在設(shè)備維護(hù)和技術(shù)支持方面，對(duì)被列入實(shí)體清單的中企，美企一律是被禁止向他們提供維修和技術(shù)支持，非實(shí)體清單內(nèi)的企業(yè)則是不受影響的。但是，在美國(guó)2022年10月出臺(tái)的一系列針對(duì)中國(guó)大陸的半導(dǎo)體出口管制措施中則有了新的限制，其中一條就要求“美國(guó)人”在未取得許可的情況下，不得支持某些在中國(guó)境內(nèi)從事半導(dǎo)體制造“設(shè)施”開發(fā)或生產(chǎn)集成電路的實(shí)體提供支持。
隨后在2023年，荷蘭和日本出臺(tái)針對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的出口管制政策，并未要求禁止對(duì)已經(jīng)銷售給中國(guó)客戶的被列入限制范圍的設(shè)備中斷維修和技術(shù)支持。并且，荷蘭和日本的半導(dǎo)體設(shè)備出口管制政策當(dāng)中，也并未有相應(yīng)的對(duì)本國(guó)人的限制條款。因此，荷蘭、日本半導(dǎo)體廠商對(duì)其在華銷售的半導(dǎo)體設(shè)備一直都是有提供維護(hù)和技術(shù)服務(wù)的。
如果荷蘭和日本的半導(dǎo)體設(shè)備出口管制政策被迫與美國(guó)對(duì)齊，那么相關(guān)已經(jīng)對(duì)華銷售的設(shè)備的后期維修和技術(shù)服務(wù)將會(huì)受到嚴(yán)重影響。
為了迫使荷蘭和日本等盟友在150天內(nèi)對(duì)齊美國(guó)的出口管制政策，MATCH Act還提出，美國(guó)商務(wù)部應(yīng)該運(yùn)用"外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則"（Foreign Direct Product Rule），實(shí)施單邊管制，即盟國(guó)的企業(yè)所生產(chǎn)的設(shè)備只要含有美國(guó)的軟件、技術(shù)或零部件，均屬于美國(guó)出口管制范圍，直接限制對(duì)華出口。
MATCH Act的提出，標(biāo)志著美國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體管制從“單邊施壓”正式邁入“強(qiáng)制多邊對(duì)齊”的新階段。其核心邏輯清晰而激進(jìn)：既然盟友的管制力度不如美國(guó)，那就通過立法強(qiáng)壓日荷在150天內(nèi)同步升級(jí)，否則動(dòng)用“外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則”實(shí)施長(zhǎng)臂管轄。這意味著，即便ASML和TEL的設(shè)備不完全依賴美國(guó)技術(shù)，只要含有美國(guó)成分，就可能被納入管制范圍——這種做法無異于將美國(guó)國(guó)內(nèi)法凌駕于全球貿(mào)易規(guī)則之上。
從戰(zhàn)略意圖看，美國(guó)此次精準(zhǔn)鎖定“光刻+刻蝕”兩大核心設(shè)備品類，直指芯片制造的“卡脖子”環(huán)節(jié)。浸沒式DUV是成熟制程向先進(jìn)制程過渡的關(guān)鍵，低溫蝕刻則是3D NAND、先進(jìn)封裝等高深寬比工藝的核心工具。兩項(xiàng)設(shè)備同時(shí)被禁，意圖明顯：延緩中國(guó)從成熟制程向先進(jìn)制程的爬坡速度，同時(shí)遏制存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)能擴(kuò)張。
從被點(diǎn)名的五家企業(yè)來看，涵蓋了中國(guó)領(lǐng)先的邏輯制造和存儲(chǔ)制造企業(yè)，覆蓋中國(guó)半導(dǎo)體制造的戰(zhàn)略支點(diǎn)。更值得警惕的是，MATCH Act要求禁止維修和技術(shù)支持——這意味著已購(gòu)設(shè)備的未來正常運(yùn)行也可能受影響，殺傷力遠(yuǎn)超單純的新設(shè)備禁售。
不過，MATCH Act能夠正式成為生效的法案仍面臨多重變數(shù)。
首先是美國(guó)內(nèi)部黨派不同派系能否達(dá)成一致的意見，美國(guó)本土企業(yè)能否坐視自身在華利益受損，美國(guó)總統(tǒng)最終是否會(huì)簽署這項(xiàng)可能激化中美矛盾，破壞與荷蘭和日本盟友關(guān)系的法案。
其次是荷蘭和日本這兩個(gè)盟國(guó)能否配合，畢竟他們也需要維護(hù)本國(guó)企業(yè)的利益，之前的出口管制政策已經(jīng)引發(fā)了一些負(fù)面影響。
第三，是執(zhí)行難度。“外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則”雖然威力巨大，但過度使用可能引發(fā)全球供應(yīng)鏈的劇烈震蕩，甚至倒逼非美技術(shù)體系的加速獨(dú)立。
對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，MATCH Act若最終通過，那么短期內(nèi)無疑將帶來嚴(yán)峻挑戰(zhàn)：先進(jìn)設(shè)備獲取進(jìn)一步受阻、存量設(shè)備維護(hù)存疑、成熟產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)受限。但長(zhǎng)期看，這或?qū)⑦M(jìn)一步堅(jiān)定中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的決心。
正如過去幾年的經(jīng)驗(yàn)所示，“封鎖”往往催生“突圍”——國(guó)產(chǎn)刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備已在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，光刻設(shè)備研發(fā)也在加速推進(jìn)。美國(guó)的“鐵幕”，正成為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)真正走向獨(dú)立自主的催化劑。
