3月4日，據(jù)上海松江官方消息，位于上海松江綜保區(qū)的尼西半導體科技（上海）有限公司宣布，已建成投產(chǎn)全球首條35微米功率半導體超薄晶圓工藝及封裝測試生產(chǎn)線。該技術將晶圓厚度縮減至35微米，大幅降低了功率芯片的導通電阻與熱阻，主要面向新能源汽車和5G基站等高功率密度應用場景，為國產(chǎn)功率器件打入高壓平臺及快充市場提供產(chǎn)能基礎。

在加工工藝方面，尼西半導體將晶圓加工精度控制在35±1.5微米，并通過化學腐蝕技術消除92%的研磨應力損傷，使極薄晶圓的碎片率降至0.1%以內(nèi)。切割環(huán)節(jié)采用定制化激光技術替代傳統(tǒng)刀片，熱影響區(qū)顯著縮小，切割良率達到98.5%。設備參數(shù)顯示，產(chǎn)線研磨機加工精度達0.1微米，片內(nèi)厚度偏差小于2微米；激光切割機切縫寬度僅11微米，相較傳統(tǒng)工藝可提升約**10%**的芯片有效面積利用率。

芯片厚度的降低直接帶來了電氣性能的改變。數(shù)據(jù)顯示，該工藝使載流子通行時間縮短40%，熱阻較傳統(tǒng)的100微米標準產(chǎn)品下降60%。在封裝環(huán)節(jié)引入雙面散熱設計后，模塊熱阻可再降30%，功率循環(huán)壽命提升5倍。應用端測算表明，同等晶圓面積下芯片產(chǎn)出量增加20%，可使手機快充模塊體積縮減一半，并為電動汽車電控單元減重3公斤。

目前，該產(chǎn)線測試環(huán)節(jié)單日產(chǎn)能可達12萬顆成品，鍵合機單日產(chǎn)能約400片。產(chǎn)線中的鍵合、研磨、切割及解鍵合等核心裝備，均由尼西半導體與國內(nèi)設備廠商聯(lián)合研發(fā)，在協(xié)同創(chuàng)新中實現(xiàn)了關鍵設備的自主可控，填補了國內(nèi)相關制造領域的應用空白。