2月25日消息，ASML阿斯麥近日確認，全新一代Twinscan NXE EUV光刻機研發(fā)進展順利，光源功率將提升50％達到1000W，生產(chǎn)效率也將提升20％達到每小時330塊晶圓，預(yù)計2030年或更晚時候面世。

ASML對這一成就極為自豪，并且信心滿滿，認為已經(jīng)找到1500W光源的清晰技術(shù)路徑，而且理論上講做到2000W也不存在根本性障礙！

當(dāng)然，達成1000W光源和完整的光刻系統(tǒng)，需要突破重重障礙。

第一，ASML必須盡快搞定2024年底就公布的三脈沖極紫外光生成技術(shù)。

它首先通過1微米的預(yù)脈沖(pre-pulse)，將錫滴壓平，再經(jīng)1微米的稀疏預(yù)脈沖(rarefaction pre-pulse)，使錫滴形成稀疏狀態(tài)，最后由10微米的二氧化碳激光主脈沖，將錫滴轉(zhuǎn)化為極紫外等離子體。

ASML已經(jīng)為此技術(shù)申請了專利，但尚未商用落地，預(yù)計要等到這個10年末期退出的Twinscan NXE:4000系列光刻機。

第二，1000W光源必須配備全新的錫滴發(fā)生裝置，使其發(fā)射頻率提升近一倍，達到每秒10萬個。

這一裝置目前仍處于研發(fā)階段，還得幾年才能投入商業(yè)化。

第三，隨著錫滴發(fā)射數(shù)量的大量增加，必然導(dǎo)致晶圓（更準(zhǔn)確地說是晶圓保護膜）上的雜質(zhì)殘留量增加。

因此必須配備全新的雜質(zhì)收集裝置，快速清除它們。

第四，1000W光源產(chǎn)生之后，精準(zhǔn)傳導(dǎo)至晶圓也非常難，為此需要全新的高透射投影光學(xué)系統(tǒng)。

該系統(tǒng)進一步升級后，可將產(chǎn)能提升至每小時超過450塊晶圓，對應(yīng)的光源功率也將達到1500W左右。

第五，對晶圓臺和掩模臺也提出了新要求，必須同步完成升級。

第六，還需要全新的光刻膠和晶圓保護膜，與之適配。

所以，一臺全新光刻機的誕生，并不只是ASML的工作，需要整個產(chǎn)業(yè)鏈做好全面準(zhǔn)備。

值得一提的是，ASML還沒有將1000W EUV光源整合到高、低數(shù)值孔徑(NA) EUV光刻技術(shù)路線圖中。

低NA方面，新一代Twinscan NXE:4000F光刻機計劃2027年面市，針對1.xnm工藝節(jié)點設(shè)計，包括Intel 14A和臺積電16A/14A)，套刻精度可達0.8nm，每小時產(chǎn)能超過250塊晶圓。

2029年，我們將看到Twinscan NXE:4200G，產(chǎn)能每小時超過280塊晶圓。

高NA方面，Twinscan EXE:5200C光刻機明年登場，每小時產(chǎn)能超過185塊晶圓，套刻精度優(yōu)于0.9nm。

2029年，Twinscan EXE:5400D光刻機將接踵而至，產(chǎn)能將突破每小時195片晶圓。