2月18日消息，據(jù)外媒爆料，蘋(píng)果正計(jì)劃與中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)展開(kāi)合作洽談，擬將兩家企業(yè)納入供應(yīng)鏈，為旗下iPhone、Mac等產(chǎn)品采購(gòu)內(nèi)存及存儲(chǔ)芯片，用以應(yīng)付來(lái)自日韓供應(yīng)商的漲價(jià)壓力。

當(dāng)前，蘋(píng)果主要依賴的存儲(chǔ)與內(nèi)存供應(yīng)商包括鎧俠、三星和 SK 海力士等，但在行業(yè)性供給緊張和價(jià)格大幅上漲背景下，這些廠商紛紛抬價(jià)，鎧俠更是將 NAND 芯片報(bào)價(jià)翻倍，還要求按季度重新議價(jià)，讓蘋(píng)果的供應(yīng)鏈成本與不確定性驟增。為增加議價(jià)籌碼、分散供應(yīng)風(fēng)險(xiǎn)，蘋(píng)果開(kāi)始探索與國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商合作的可能。

蘋(píng)果對(duì)供應(yīng)商的品質(zhì)要求極近苛刻。若能成功進(jìn)入 iPhone 供應(yīng)鏈，標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)的第五代 3D NAND 技術(shù)（密度已達(dá)領(lǐng)先水平）已完全達(dá)到國(guó)際一流標(biāo)準(zhǔn)。

根據(jù) TechInsights 的拆解分析，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已量產(chǎn)基于新一代晶棧Xtacking 4.0架構(gòu)的閃存芯片，總堆疊層數(shù)達(dá)到 294 層，其中 232 層為有效存儲(chǔ)層，比特密度接近每平方毫米 19.8 Gb。不論是堆疊層數(shù)、存儲(chǔ)密度、還是可靠性，長(zhǎng)江存儲(chǔ)都已達(dá)到當(dāng)前全球領(lǐng)先水平，具備了進(jìn)入蘋(píng)果供應(yīng)鏈的技術(shù)基礎(chǔ)。

若合作落地，借助蘋(píng)果的海量訂單，將推動(dòng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)在先進(jìn)制程與良率上的跨越式進(jìn)化。而蘋(píng)果也能降低對(duì)目前主導(dǎo)市場(chǎng)的內(nèi)存和存儲(chǔ)設(shè)備制造商的依賴。

而對(duì)現(xiàn)有日韓與部分美系存儲(chǔ)廠商而言，則意味著未來(lái)在高端智能手機(jī)和 PC 領(lǐng)域的市場(chǎng)主導(dǎo)地位，可能將面臨來(lái)自中國(guó)廠商的更直接競(jìng)爭(zhēng)。