當地時間2026年1月7日下午，美國存儲芯片大廠美光科技宣布，將于2026年1月16日正式在紐約州奧農達加縣破土動工興建其巨型晶圓廠。經過嚴格的環境評估和必要的許可證審批后，美光現已準備就緒，即將開始場地平整和建設工作。

該項目是紐約州歷史上規模最大的私人投資項目，建成后將成為全球最先進的存儲器制造基地，并有助于滿足現代經濟核心——人工智能系統日益增長的需求。該項目最多可建四個晶圓廠，建成后將成為美國最大的半導體工廠。

根據美光的計劃，其將在美國的存儲制造投資擴大到約 1500 億美元，包括：在愛達荷州博伊西建造第二家領先的內存工廠；擴建其位于弗吉尼亞州馬納薩斯的現有制造工廠并對其進行現代化改造；位于紐約的多達四家領先的大批量晶圓廠；并將先進的HBM封裝能力引入美國，以實現對 AI 市場至關重要的高帶寬內存 （HBM） 的長期增長。此外，美光宣布計劃投資 500 億美元提升美國國內存儲芯片技術研發，再次鞏固其作為全球內存技術領導者的長期地位。這些投資額也旨在使美光能夠滿足預期的市場需求，保持美光的市場份額，并支持美光在美國生產 40% 的 DRAM 的目標。

美光的紐約州晶圓廠計劃涉及四個晶圓廠階段，潔凈室面積約為 600,000 平方英尺（約 55,700 平方米），總投資將達耗資1000億美元。該工廠是美光長期戰略努力的一部分，旨在建立強大的美國國內制造足跡，以支持商業和國家計算需求。

美光科技董事長、總裁兼首席執行官桑杰·梅赫羅特拉 (Sanjay Mehrotra) 及其他高管將與特朗普政府、國會、紐約州和地方政府官員，以及杰出的商界領袖和社區成員共同慶祝這一重大里程碑。奠基儀式結束后，將在雪城大學國家退伍軍人資源中心舉行慶祝活動，屆時高管和官員將發表講話。

“美光紐約巨型晶圓廠的破土動工對美光和美國來說都是一個關鍵時刻，”美光科技董事長、總裁兼首席執行官桑杰·梅赫羅特拉 (Sanjay Mehrotra) 表示。“我要感謝特朗普總統、盧特尼克部長、澤爾丁署長、霍楚州長、舒默參議員、曼尼恩眾議員、特尼眾議員、麥克馬洪縣行政長官以及我們在政府和國會的所有合作伙伴，感謝他們為實現這一里程碑所做出的領導和貢獻。隨著全球經濟邁入人工智能時代，先進半導體領域的領先地位將成為創新和經濟繁榮的基石。我們的投資和進展鞏固了我們作為美國唯一一家存儲器制造商的地位。”