12月19日消息，據(jù)《日經(jīng)新聞》引述熟知內(nèi)情的消息人士透露，晶圓代工大廠臺積電計劃將于2026年第三季度開始將設(shè)備遷移到亞利桑那州的Fab 21的第二座晶圓廠，預(yù)計相關(guān)產(chǎn)線將于2027年上半年安裝完成，因此可能會在2027年底前量產(chǎn)，相比之前的2028年量產(chǎn)計劃提前了數(shù)個季度。

根據(jù)臺積電的信息顯示，其在亞利桑那州的第二座晶圓廠的基建今年已完成。建筑本身及其機(jī)械/電氣/管道系統(tǒng)完工后，就將開始安裝內(nèi)部基礎(chǔ)設(shè)施，如電梯和暖通空調(diào)。一旦完成這一階段，就會進(jìn)行環(huán)境鑒定，如果溫度、壓力、濕度等一切穩(wěn)定，就會進(jìn)入實(shí)際生產(chǎn)設(shè)備安裝。

根據(jù)設(shè)備類型的不同，安裝和調(diào)校時間從數(shù)小時到數(shù)天不等，盡管高端DUV和EUV光刻系統(tǒng)的安裝和調(diào)教時間明顯長于廠內(nèi)其他機(jī)器。但無論如何，安裝第一批工具、使其協(xié)同工作并開始小批量生產(chǎn)都需要數(shù)月時間。不過，臺積電仍有機(jī)會在2027年底前在亞利桑那州第二座晶圓廠啟動其3nm（N3）制造技術(shù)的批量生產(chǎn)，盡管產(chǎn)量有限。

此外，臺積電于2025年4月在亞利桑那州開始建設(shè)具備2nm（N2）/ 1.6nnm（A16）制程生產(chǎn)能力的第三座晶圓廠。臺積電希望盡快完成該項(xiàng)目，提前在美國開始生產(chǎn)其2nm和1.6nm級芯片。

臺積電首席執(zhí)行官魏哲家在今年10月的財報電話會議上表示：“在我們美國主要客戶以及聯(lián)邦、州和市政府的強(qiáng)力合作和支持下，我們將繼續(xù)加快亞利桑那州的產(chǎn)能擴(kuò)展步伐。我們正在取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展，并且在執(zhí)行計劃方面表現(xiàn)良好。此外，鑒于客戶對AI的強(qiáng)烈需求，我們正準(zhǔn)備更快地升級技術(shù)至N2及更先進(jìn)的工藝技術(shù)。”