12月8日消息，據韓國媒體ZDNet Korea 報導，存儲芯片大廠SK海力士已經修改HBM4生產計劃，原本2026年2月量產HBM4、明年二季度擴大產量的計劃，已經推遲到了2026年3~4月量產，擴大生產的時間點則推遲到了明年第三季。因此，HBM4 量產所需材料和零組件供應速度也放緩。
報道援引消息人士說法稱，SK 海力士原定2026 上半年逐步提升HBM4產能，第二季末提高整體HBM 比重。但現決定至少在2026 上半年，前代HBM3E 生產比重仍維持最高。產能調整的原因，被認為與英偉達策略調整和市場需求變化密切相關。
消息人士透露，SK 海力士與英偉達討論2026 年HBM 供貨時，發現英偉達HBM3E 采購量大幅增加，反映幾個關鍵信息：
1、英偉達Rubin 芯片可能延后發布： HBM4 是為英偉達預計在2026 年推出的新一代AI芯片Rubin 所準備的。業界普遍擔憂，Rubin 晶片量產時間可能延期。
2、HBM3E 需求強勁：搭載HBM3E 的Blackwell GPU需求依然強勁。為滿足當前市場對HBM3E 的穩健需求，SK 海力士選擇優先確保HBM3E 供應。
英偉達Rubin芯片量產時間可能延期原因，一方面是因Rubin 芯片追求性能提升導致所需配套的 HBM4 等技術難度變高：HBM4 的輸入/輸出（I/O）端口數量擴大至2,048 個，這是前一代產品的兩倍，意味著數據傳輸通道更加寬廣；用于控制HBM 的邏輯芯粒將不再采用傳統的DRAM 制程，而是改用臺積電的晶圓代工制程來進行生產。另外臺積電2.5D 先進封裝CoWoS 也面臨產能瓶頸。
SK 海力士回應稱，雖然無法確認經營策略相關細節，但計劃根據市場需求，采取靈活應對措施。
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