11月5日消息，據韓國媒體Business korea報道，SK海力士近日已經與人工智能（AI）芯片大廠英偉達（NVIDIA）就明年供應的第六代高帶寬內存HBM4完成談判，價格將比HBM3E高出了50%以上，為其未來實現性能突破奠定了基礎。

今年3月，SK海力士就率先向英偉達交付了全球首塊12層堆疊的HBM4顯存樣品。在該樣品獲得英偉達的積極評價后，SK海力士于6月開始交付首批產品。與此同時，SK海力士也開始就為英偉達下一代AI芯片Rubin（計劃于明年下半年發布）供應HBM4顯存進行價格談判。

HBM4 擁有 2048 個數據傳輸通道（I/O），是 HBM3E（1024 個）的兩倍。此外，HBM4 在連接圖形處理器 (GPU) 和 HBM 的邏輯基礎芯片（Base die）中集成了計算效率和能耗管理等“邏輯處理”功能。SK海力士已將HBM4的Base die的生產外包給臺積電，此前 SK海力士一直自行生產基礎芯片。

今年9月12日，SK海力士宣布，已成功完成面向AI的超高性能存儲器新產品HBM4的開發，并在全球首次構建了量產體系。預計將于今年四季度出貨，并計劃在明年全面擴大銷售。

隨后在10月底三季度財報會議上，SK海力士宣布其已與主要客戶就明年的HBM供應完成了討論。而這個主要客戶外界猜測就是英偉達。

報道稱，SK海力士與英偉達雙方的談判過程并不順利。考慮到技術進步所涉及的成本，SK海力士向英偉達提出的HBM4定價為500美元左右，比其上一代產品HBM3E高出50%以上。但是，英偉達對如此大幅度的漲價表示猶豫，因為競爭對手三星電子和美光科技也能供應HBM4，這導致雙方產生沖突。

不過，近期的消息顯示，由于美光的HBM4產品仍難以滿足英偉達（NVIDIA）對性能和功耗的要求，導致美光可能需要重新設計HBM4芯片架構。如果消息屬實，那么將導致美光HBM4的量產延后長達9 個月，這也意味著其在2026年內都將難以實現量產，將錯失英偉達的訂單。與此同時，三星的HBM4仍在積極提升良率當中，預計也要明年上半年才能量產，但是否能夠通過英偉達的認證還是未知之數。這也意味著SK海力士是目前唯一能夠滿足英偉達要求的HBM4供應商。

最終，SK海力士與英偉達敲定的HBM4供應的價格約為每顆560美元，這使得該公司得以繼續保持其在HBM4市場的主導地位。

SK海力士的一位官員表示：“最終的供貨價格和談判細節尚無法確認”。但他解釋說：“考慮到工藝進步和原材料成本，HBM4的價格存在大幅上漲的因素。”

SK海力士在完成價格談判后，近期面向機構投資者舉行了投資者關系（IR）會議，預測明年將繼續保持高營業利潤率。

據金融投資行業人士透露，SK海力士確認，“符合英偉達規格的產品價格和銷量已經確定，目前的盈利能力得以維持。”這意味著，即使三星電子和美光進入HBM4市場，也不會對SK海力士的營業利潤和業績造成不利影響。業內認為SK海力士的HBM4利潤率約為60%。

市場預測SK海力士明年的HBM銷售額約為40-42萬億韓元。如果利潤率與今年持平，SK海力士僅HBM一項業務的營業利潤就將達到約25萬億韓元。隨著SK海力士在明年下半年從目前的主要供應產品HBM3E過渡到HBM4，預計其HBM業務的整體業績將比今年（銷售額約30萬億韓元，營業利潤約17萬億韓元）增長40-50%。

有預測稱，SK海力士明年的營業利潤將超過70萬億韓元，這將得益于HBM4的盈利能力。因為在全球人工智能基礎設施投資熱潮的推動下，HBM與通用DRAM的價格也大幅上漲。

據DRAMeXchange數據顯示，DDR4的固定交易價格在9月份突破了7美元，創下6年10個月以來的新高。這主要是由于近年來主要DRAM公司將重心放在確保HBM生產線上，導致通用DRAM的供應瓶頸不斷擴大。

隨著DRAM價格飆升，分析顯示，SK海力士明年通用DRAM的營業利潤率也可能接近50-60%。一位業內人士表示：“隨著AI推理應用的快速發展，DRAM供應短期內無法滿足需求。”他還補充道：“SK海力士甚至在產品投產前就已經售罄了明年的訂單，因此高利潤率將得以維持。”