據(jù)外媒Wccftech近日?qǐng)?bào)道，根據(jù)The Futurum Group半導(dǎo)體分析師Ray Wang通過社交平臺(tái)X公布的信息稱，臺(tái)積電A14制程的“良率表現(xiàn)”（yield performance）進(jìn)展已經(jīng)超初原定進(jìn)度。
根據(jù)Wang提供的信息，臺(tái)積電A16制程整合了片電晶體、超級(jí)電軌（SPR）及創(chuàng)新的背面接面（backside contact）設(shè)計(jì)，相較于N2P制程，A16的速度提升8~10%、功耗降低15~20%，芯片密度增加約1.1倍，非常適合用于需要復(fù)雜訊號(hào)傳輸、穩(wěn)定供電的高效能運(yùn)算（HPC）產(chǎn)品。
相較之下，A14完整接續(xù)N2制程，專為AI及智慧型手機(jī)應(yīng)用量身打造，具備進(jìn)階的NanoFlex Pro單元架構(gòu)。
與N2相比，A14速度提升最多15%、功耗降低最多30%，芯片密度增加超過20%，可帶來更快的運(yùn)算速度、更高的效率，并提升終端裝置的AI效能。
Wang提供的數(shù)據(jù)顯示，A14的開發(fā)進(jìn)展順利，其良率表現(xiàn)已超前原定進(jìn)度。
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