9月3日消息，SK海力士今日宣布，已將業界（指存儲行業）首款量產型高數值孔徑極紫外光刻機（High NA EUV）引進韓國利川M16工廠，并舉行了設備入廠慶祝儀式。
High NA EUV 擁有比當前 EUV 更高的數值孔徑（NA），可大幅提升分辨率，能夠繪制當前最微細的電路圖案，預計將在縮小線寬和提升集成度方面發揮關鍵作用。
注：數值孔徑（Numerical Aperture）是用來衡量透鏡匯聚光線能力的數值。NA 值越大，電路圖案繪制的精密度越高。電路圖案制作越精密，每塊晶圓上可生產的芯片數量就越多，同時也能有效提高能效與性能。
據介紹，此次引進的設備為荷蘭 ASML 公司推出的 TWINSCAN EXE:5200B，它是首款量產型 High-NA EUV 設備，EUV 光波長 13.5nm，分辨率達 8nm。
與現有的 EUV 設備（NA 0.33）相比，其光學性能（NA 0.55）提升了 40%，這一改進使其能夠制作出精密度高達 1.7 倍的電路圖案，并將集成度提升 2.9 倍。
SK海力士表示，該系統將加速下一代存儲器產品的開發。
“我們預計，關鍵基礎設施的增加將把我們一直追求的技術愿景變為現實，”SK海力士研發負責人Cha Seon-yong說。
他表示：“我們的目標是，利用快速發展的人工智能（AI）和下一代計算市場所需的尖端技術，加強在人工智能（AI）內存領域的領先地位。”
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