1月16日晚間，國產氮化鎵大廠英諾賽科發布公告稱，本公司及本公司之全資附屬公司英諾賽科（蘇州）半導體有限公司（后者簡稱“英諾蘇州”，二者統稱“原告”）已向中國江蘇省蘇州市中級人民法院起訴英飛凌科技（中國）有限公司（以下稱“被告一”）、英飛凌科技（無錫）有限公司（以下稱“被告二”）及蘇州芯沃科電子科技有限公司（以下稱“被告三”），就202311774650.7號專利提交起訴狀《（2024）蘇05民初1430號》，及就202211387983.X號專利提交起訴狀《（2024）蘇05民初1431號》（統稱“起訴狀”）。

公告稱，英諾蘇州為202311774650.7號及202211387983.X號專利（“涉案專利”）的專利權人，英諾賽科已就涉案專利獲得英諾蘇州許可。涉案專利分別涉及一種氮化鎵（GaN）功率器件及其制備方法，以及一種氮化物基半導體器件及其制造方法。

根據起訴狀，被告二是被告一的全資控股子公司，并為英飛凌中文網站的備案主體。該網站向中國的潛在客戶展示、宣傳及許諾銷售多種型號的氮化鎵（GaN）半導體器件（“涉案侵權產品”）；被告一是涉案侵權產品的進口商和總經銷商；根據英飛凌中文網站，被告三是被告一、被告二于中國的增值分銷商。經技術比對，原告認為涉案侵權產品落入涉案專利的保護范圍，三被告未經原告允許實施了許諾銷售、銷售、進口涉案侵權產品的行為，構成對涉案專利的侵害，依法應當承擔相應的法律責任，包括停止侵權行為及承擔賠償責任。原告為保護自身合法權益，依法向法院提出本案訴訟。

英諾賽科認為，提出上述訴訟將不會對本集團的正常業務或經營產生不利影響。本集團將繼續積極尋求法律意見，并在必要時采取合適行動，以維護本集團及其股東之利益，并盡量減少對本集團的負面影響。本公司將于適當時候發布進一步的公告，以通知股東關于上述訴訟的進展情況。