曾任爾必達存儲器公司社長的坂本幸雄。日前接受日本經濟新聞采訪時談到了中國半導體產業差距。
談到中國半導體產業的實力時，坂本幸雄認為，中國占世界半導體生產的份額為15％。不過，其中美國英特爾等外資企業占6成，而中國企業的份額僅為4成。中國半導體產業在從零開始創造價值的研發方面缺乏經驗。
坂本幸雄認為，在DRAM領域處于中國頂尖水平的長鑫存儲技術（CXMT）與三星相比落后4代左右。而在NAND閃存領域，據稱中國頂尖的長江存儲科技（YMTC）將啟動（存儲元件為）128層的量產，雖已啟動192層的試生產，但制造的數量過少，達不到討論競爭力的水平。
在談到中芯國際時， 坂本幸雄表示中芯國際是中國最頂尖的半導體制造商，但產品的最細電路線寬也只是14納米，這已是7、8年前的技術。世界頂尖的臺積電正在開發2納米的產品，差距并未縮小。中芯國際以工序管理的工程師為中心，或許難以推進新技術的開發。由于美國的制裁，還難以引進尖端的生產設備，無法涉足價值巨大的處理器（運算處理裝置）的尖端領域。經營資源完全被用于增加14納米以上的產能，如果缺乏在3～4年后追上臺積電等龍頭企業的決心，差距會不斷擴大。
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