在科研力度不斷加大、國家政策支持下，未來我國高遷移率溝道材料研究成果將不斷增多，在半導體技術持續升級下，高遷移率溝道材料行業發展前景廣闊。
溝道，是場效應晶體管中源區和漏區之間的半導體薄層，是半導體中由于外加電場引起的沿長度方向的導電層。遷移率，是單位電場強度下所產生的載流子平均漂移速度，遷移率與載流子濃度共同決定了半導體的電導率。隨著半導體技術不斷進步，市場對高遷移率溝道材料的需求日益迫切，高遷移率溝道材料研發的重要性日益突出。
根據新思界產業研究中心發布的《2021－2025年高遷移率溝道材料行業深度市場調研及投資策略建議報告》顯示，高遷移率的意義在于可以利用更小體積的晶體管提供更大的電流。全球半導體制造技術迅速提升，工藝制程不斷縮小，進入90nm節點時，依靠縮小晶體管溝道長度的方法已經無法大幅提升集成電路性能，特別是隨著7nm時代到來，高功能集成度的新型器件不斷問世，傳統溝道材料已經無法滿足升級需求，高遷移率溝道材料因此成為研究重點。
傳統晶體管所用溝道材料主要是硅材料，硅材料性質優異且均衡，但其介電常數較低，在先進制程工藝中應用受到限制，隨著制程工藝進入7nm、5nm節點，硅材料性能開發已經接近物理極限。同時，其他新型材料例如石墨烯、過渡金屬硫化物等雖然部分性能得到提升，但仍有缺點。在此情況下，開發高遷移率溝道材料需求極為迫切。
在我國，2018年，北京大學研究團隊，通過對Bi2O2Se材料進行熱氧化處理，得到高K柵介質材料Bi2SeO5薄膜，突破了二維高遷移率半導體器件與超薄介電層集成這一瓶頸，并在此基礎上，結合氫氟酸選擇性刻蝕技術與微納加工技術，制備了高性能場效應晶體管，其遷移率超過300cm2V－1s－1。
我國“十四五”國家重點研發計劃“納米前沿”重點專項中，提出圍繞新型溝道材料的規模化制備、硅基兼容與器件性能提升的問題，研制200℃下電學性質穩定的超薄高遷移率溝道材料及高k柵介質的晶圓（直徑大于兩英寸）。在科研力度不斷加大、國家政策支持下，未來我國高遷移率溝道材料研究成果將不斷增多，在半導體技術持續升級下，高遷移率溝道材料行業發展前景廣闊。
新思界行業分析人士表示，我國是全球電子產品生產大國，2015年以來，我國半導體材料市場呈現穩定增長態勢，即使2019年全球半導體材料市場下行、2020年新冠疫情爆發，我國半導體材料需求仍保持上升趨勢。2020年，我國半導體材料市場規模約為96億美元，初步估算2021年市場規模將超過100億美元。在此背景下，我國高遷移率溝道材料市場空間不斷擴大。
