據韓國專業電子行業媒體etnews報道， SK Hynix已開始在其總部DRAM工廠建造一條采用EUV光刻技術的先進生產線。據悉，該公司正在轉讓現有的生產設備，并安裝新的設備，如EUV光刻系統和清潔車。

　　SK Hynix的總部和工廠（韓國京畿道里川市）全景（來源：SK Hynix）

該報稱，除了升級M14晶圓廠的設備外，還將在即將啟用新晶圓廠的M16晶圓廠安裝ASML EUV光刻系統，由于應用EUV光刻技術的晶圓是M14和M16，SK Hynix將同時為M14和M16做準備。雖然EUV光刻設備本身將安裝在M16，但在EUV上光刻生產的DRAM相信會通過晶圓廠之間的晶圓傳輸路徑在M14生產。 半導體人士解釋，這種新舊兩條線的準備方法是公司風險對策的一部分。

　　該公司表示：“的確，我們正在為使用EUV的DRAM的大規模生產做準備，但目前還沒有宣布具體的生產計劃。”

　　2020年8月，DRAM競爭對手三星電子宣布在平澤工廠新建的第二座生產線（2號線）開始生產16 Gbit LPDDR5移動DRAM。可以說是SK海力士遵循的形式。

　　由于NAND的3D轉換，該過程的微型化已停止，但是由于DRAM尚未轉換為3D，因此該過程的微型化是漸進的，但仍在繼續。我們已經在10nm范圍內研究1X-nm，1Y-nm和1Z-nm的工藝，并且我們相信EUV將在1Z-nm和1A（α）-nm或更晚的世代之后應用。

　　順帶一提，之前三星已將EUV應用于1Z-nm DRAM，但SK海力士將從2021年起將EUV應用于1A-nm DRAM，而非1Z-nm，并將于2022年將EUV應用于1B（β）-nm，即第五代10nm DRAM。