5月15日，美國商務部宣布，將嚴格限制華為使用美國的技術、軟件設計和制造半導體芯片，任何相關行為都必須事先通過審批，以保護美國國家安全，并切斷華為試圖脫離美國出口管控的途徑。

    這意味著，在美國境外為華為生產芯片的晶圓廠商們，只要使用了美國半導體生產設備，就需要向美國申請許可證。這意味著，從芯片制造、到芯片設計EDA軟件、再到半導設備，美國開始選擇采取釜底抽薪的方式阻斷全球半導體供應商向華為供貨。

    2019年5月16日，美國商務部宣布將華為納入實體制裁清單，自此，開啟一系列針對華為的打壓措施。

    到今天，2020年5月16日，禁令已經一年了，華為面臨的環境更惡劣了。

    21IC了解到，日前臺積電從華為獲得7億美元訂單。

    消息稱，該訂單將直接加速麒麟1100的生產，從之前臺積電的客戶名單看，2020年臺積電只為兩家公司量產5nm芯片，分別是蘋果和華為海思，前者是A14和A14X處理器，華為海思的則是麒麟1000及網絡處理器。

    消息顯示，華為在2019年給臺積電貢獻了361億人民幣的營收，同比增長超過80％，占到臺積電整體營收比重，從8％提升至至14％。這讓華為成為臺積電第二大客戶，僅次于蘋果。

    華為占比飆升的原因除了自身業務增長帶來的需求擴大，更是因為防范美國制裁的風險，大舉增加芯片庫存，庫存水位提升到100天以上。業界認為，如果華為遭美國進一步制裁，將是臺積電未來業務發展的隱憂。

    根據臺積電公開消息顯示，5nm完全采用極紫外光（EUV）方案，于2019年3月進入風險生產階段，預期2020年第二季拉高產能并進入量產。主力生產工廠是Fab 18。

    與7nm制程相較，但5nm從前到后都是全新的節點，邏輯密度是之前7nm的1．8倍，SRAM密度是7nm的1．35倍，可以帶來15％的性能提升，以及30％的功耗降低。5納米的另一個工藝是N5P，預計2020年第一季開始試產，2021年進入量產。與5nm制程相較在同一功耗下可再提升7％運算效能，或在同一運算效能下可再降低15％功耗。

    5nm之后的全節點提升的工藝是3納米，根據一些細節顯示，臺積電3nm工藝繼續采用FinFET工藝，晶體管密度達到每平方毫米2．5億個（250MTr／mm2），相對于5納米來說，晶體管密度提升達1．5倍，性能提升7％，能耗減少15％。

    至于2nm工藝，臺積電表示已經于2019年領先半導體產業進行制程技術的研發，并將著重于改善極紫外光（EUV）技術的質量與成本。