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Pulsiv发布了效率超高的65W USB-C设计
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英飞凌推出全新CoolGaN™ Drive产品系列
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预计2030年全球GaN功率元件市场规模达43.76亿美元
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瑞萨完成对Transphorm的收购
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德州仪器推出先进的 GaN IPM
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CGD为电机控制带来GaN优势
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2024年全球半导体材料市场将同比增11%
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“死磕”功率密度，TI又推出两大新系列
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新加坡芯片厂突然倒闭，员工解散！
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瑞萨收购Transphorm，利用GaN技术扩展电源产品阵容
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Nexperia推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET
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CGD与群光电能科技和剑桥大学技术服务部共同组建GaN生态系统
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CGD 的 ICeGaN HEMT 荣获台积电欧洲创新区“最佳演示”
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CGD 首席技术官 Florin Udrea 入选著名的 Ispsd 名人堂
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Transphorm推出SuperGaN FET 的低成本驱动器解决方案
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恩智浦推出全新的射频功率器件顶部冷却封装技术，进一步缩小5G无线产品尺寸
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Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同类产品中拥有出色的稳健性、易用性和高效率
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英飞凌推出新一代双通道隔离栅极驱动器IC，提升SMPS设计的系统性能
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Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET
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氮化镓 （GaN） 带来电源管理变革的 3 大原因
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