2023 年 6 月 21 日

　　英國劍橋 - Cambridge GaN Devices （CGD）是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。該公司很高興宣布，其首席技術官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Florin Udrea 教授于近期入選 IEEE ISPSD（功率半導體器件和集成電路國際會議）名人堂。ISPSD 名人堂旨在表彰在推動功率半導體技術以及在維持 ISPSD 成功發(fā)展方面做出巨大貢獻的個人。在對 Udrea 的表彰中這樣說道：“Florin Udrea 對功率半導體領域的杰出貢獻以及對 ISPSD 的多方助益，激勵著一代又一代工程師在功率半導體領域去追求卓越。”除了在第 23 屆 ISPSD（于中國香港舉辦）入選名人堂外，Udrea 教授還因其對第 22 屆 ISPSD（于加拿大舉辦）的卓越貢獻而榮獲“最佳論文獎”和“最佳海報獎”，這是 ISPSD 舉辦 35 年以來首次將這兩個獎項授予同一個人。

　　Florin Udrea | CGD 首席技術官 “很榮幸能夠入選 ISPSD 名人堂，這一群體是如此的莊嚴卓越，其中更是不乏開拓進取的優(yōu)秀同仁，能夠成為其中的一員讓我感到無比自豪。并且能在當今這樣一個‘功率’主題變得越來越重要的時代中保持活躍，我感到非常榮幸和幸運。通過使用 GaN 等新型 WBG 材料，我們不僅可以提高效率，還可以減少碳足跡。”

　　Giorgia Longobardi | CGD 首席執(zhí)行官

　　“祝賀 Florin 榮獲此殊榮，他當之無愧。很幸運 CGD 能擁有這樣一位在硅、碳化硅、金剛石以及氮化鎵等眾多不同類型的功率材料方面有著豐富經驗的人才擔任首席技術官。我們還從 HVMS（劍橋大學高壓微電子和傳感器研究組）的研究成果中受益良多，這個團隊目前也由 Florin 所領導。CGD 的基礎支柱之一是創(chuàng)新，而 Florin 正是一位真正的創(chuàng)新者。”

　　Udrea 教授在期刊和國際會議上已發(fā)表了超過 600 篇論文，并且在功率半導體器件和傳感器領域擁有 200 項專利。2015 年，他入選為英國皇家工程院院士。Udrea 在最近的 ISPSD 會議上獲得“最佳海報獎”，其獲獎演示文稿主題為“可提高易用性和柵極可靠性的具有感應和保護功能的智能 ICeGaN? 平臺”。CGD 的 650 V ICeGaN GaN HEMT 系列具備業(yè)界領先的穩(wěn)健性、易用性，可實現最高效率。ICeGaN 可作為平臺技術應用于多種領域，包括從商業(yè)領域的電源到工業(yè)領域的轉換器和逆變器等多種應用。Udrea 教授因在劍橋大學與日本 Misrise Technologies 和日本京都大學針對垂直 SiC FinFET 器件合作開展的研究而榮獲“最佳論文獎”。

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