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三星3D NAND闪存工艺取得重大突破
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NEO半导体推出3D X-AI芯片
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铠侠目标2027年3D NAND闪存实现1000层堆叠
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长江存储起诉美光资助的咨询公司及其副总裁
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美光 1.5TB microSD 卡开始上市，采用 176 层 NAND 闪存
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长江存储或将在2024年退出3D NAND市场
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三星宣布，236层3D NAND量产
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SK海力士宣布在中国新建3D NAND工厂
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铠侠将扩建位于北上市的工厂， 以提高3D NAND闪存产量
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铠侠谈3D NAND闪存技术的未来
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兼具高速率和安全性：儒卓力提供宇瞻科技超高速工业PCIeSSD产品 PV140-25
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183亿美元！铠侠拟斥巨资建造3D NAND工厂
發表于：2021/5/16 上午1:23:59
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SK海力士预测存储未来：3D NAND600层以上，DRAM10nm以下
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SK海力士展示存储未来：600层3D NAND，用EUV造DRAM
發表于：2021/3/25 下午1:54:12
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外媒：长江存储今年将超越三星、美光
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SK海力士发布176层3D NAND
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中国芯片制造突围之路在哪长，江存储杨士宁一语点破
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上海新阳拟定增募资，8.15亿元用于光刻胶项目
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投建3D NAND闪存主控芯片等项目，德明利创业板IPO获受理
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泛林集团推出先进介电质填隙技术，推动下一代器件的发展
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台湾厂商大举杀入3D NAND Flash市场
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凭借BiCS5 3D NAND技术，西部数据进一步增强其存储领域领导优势
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重大突破！中国首款64层3D NAND闪存量产
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