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三星3D NAND闪存工艺取得重大突破
發(fā)表于:2024/11/27 上午11:02:05
NEO半导体推出3D X-AI芯片
發(fā)表于:2024/8/16 上午10:10:25
铠侠目标2027年3D NAND闪存实现1000层堆叠
發(fā)表于:2024/6/28 上午8:55:00
长江存储起诉美光资助的咨询公司及其副总裁
發(fā)表于:2024/6/21 上午8:30:38
美光 1.5TB microSD 卡开始上市,采用 176 层 NAND 闪存
發(fā)表于:2023/2/8 上午6:31:35
长江存储或将在2024年退出3D NAND市场
發(fā)表于:2022/12/22 上午9:12:37
复享光学首次提出薄膜神经网络 3D NAND多层薄膜量测获突破
發(fā)表于:2022/12/6 下午9:08:04
三星宣布,236层3D NAND量产
發(fā)表于:2022/11/7 上午11:55:37
SK海力士宣布在中国新建3D NAND工厂
發(fā)表于:2022/5/20 上午5:48:09
铠侠将扩建位于北上市的工厂, 以提高3D NAND闪存产量
發(fā)表于:2022/3/23 下午10:08:14
铠侠谈3D NAND闪存技术的未来
發(fā)表于:2021/9/29 上午9:41:43
兼具高速率和安全性:儒卓力提供宇瞻科技超高速工业PCIeSSD产品 PV140-25
發(fā)表于:2021/6/9 下午11:52:34
183亿美元!铠侠拟斥巨资建造3D NAND工厂
發(fā)表于:2021/5/16 上午1:23:59
SK海力士预测存储未来:3D NAND600层以上,DRAM10nm以下
發(fā)表于:2021/3/28 下午7:42:09
SK海力士展示存储未来:600层3D NAND,用EUV造DRAM
發(fā)表于:2021/3/25 下午1:54:12
外媒:长江存储今年将超越三星、美光
發(fā)表于:2021/1/13 下午1:12:41
SK海力士发布176层3D NAND
發(fā)表于:2020/12/8 上午11:57:27
中国芯片制造突围之路在哪长,江存储杨士宁一语点破
發(fā)表于:2020/11/21 下午11:22:47
TechInsights讲述3D NAND闪存的发展方向
發(fā)表于:2020/11/19 上午10:02:24
上海新阳拟定增募资,8.15亿元用于光刻胶项目
發(fā)表于:2020/11/4 上午6:24:41
投建3D NAND闪存主控芯片等项目,德明利创业板IPO获受理
發(fā)表于:2020/10/17 上午10:20:09
泛林集团推出先进介电质填隙技术,推动下一代器件的发展
發(fā)表于:2020/9/22 上午11:06:46
台湾厂商大举杀入3D NAND Flash市场
發(fā)表于:2020/5/19 上午11:23:31
2021年NAND Flash市场竞争加剧
發(fā)表于:2020/4/22 上午9:51:51
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發(fā)表于:2020/2/25 下午6:26:05
凭借BiCS5 3D NAND技术,西部数据进一步增强其存储领域领导优势
發(fā)表于:2020/2/19 下午2:15:49
重大突破!中国首款64层3D NAND闪存量产
發(fā)表于:2019/9/2 下午4:24:42
长江存储启动64层3D NAND闪存量产
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2019年全球半导体将迎来复苏的一年
發(fā)表于:2019/3/2 上午6:00:00
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