美光 相關文章(489篇)
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美光在同存储企业Netlist的专利诉讼中败诉
發表于：2024/5/24 下午2:31:59
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美光：已基本完成2025年HBM内存供应谈判
發表于：2024/5/23 上午8:38:21
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机构：2024年底前HBM将占先进制程比例为35%
發表于：2024/5/21 上午8:50:16
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HBM4内存竞争已达白热化
發表于：2024/5/15 上午8:39:14
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汽车存储趋向集中化，美光四端口SSD引领行业发展
發表于：2024/5/13 上午9:47:21
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美光率先出货用于 AI 数据中心的关键内存产品
發表于：2024/5/9 下午4:52:04
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美光印度封测工厂将于2025上半年开始出货
發表于：2024/5/7 上午8:50:14
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美光率先量产面向客户端和数据中心的 200+ 层 QLC NAND 产品
發表于：2024/4/29 上午10:01:18
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美光获得美国至多61.4亿美元直接补贴和75亿美元贷款
發表于：2024/4/26 上午8:59:35
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美光下周有望获批超60亿美元芯片法案拨款
發表于：2024/4/19 上午9:00:34
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美光宣布量产232层QLC NAND闪存
發表于：2024/4/18 上午8:52:54
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美光推出全球首款四端口 SSD
發表于：2024/4/10 下午5:10:00
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美光计划二季度针对DRAM内存和固态硬盘产品调涨 25%
發表于：2024/4/9 下午11:23:21
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美光投资43亿元扩建西安封装和测试工厂
發表于：2024/3/28 上午9:15:05
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美光展示MCRDIMM DDR5-8800内存模块
發表于：2024/3/25 上午8:59:05
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美光预估AI时代旗舰手机DRAM内存用量将提升50%~100%
發表于：2024/3/22 上午9:00:31
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美光：HBM内存消耗3倍晶圆量
發表于：2024/3/22 上午9:00:19
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消息称HBM4标准放宽 三星、SK海力士推迟引入混合键合技术
發表于：2024/3/11 上午9:00:00
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美光计划部署纳米印刷技术以降低DRAM芯片生产成本
發表于：2024/3/6 上午9:00:46
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南亚内存20nm技术被盗损失数十亿
發表于：2024/3/5 上午9:30:28
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美光推出业界领先的紧凑封装型 UFS
發表于：2024/2/29 下午5:02:57
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美国法院裁定：福建晋华“不存在经济间谍活动”
發表于：2024/2/29 上午9:30:00
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美光推出紧凑封装型UFS 4.0
發表于：2024/2/29 上午9:30:00
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美光发布最小尺寸UFS4.0手机存储芯片
發表于：2024/2/28 上午9:30:17
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美光宣布量产24GB的HBM3E，将用于英伟达H200
發表于：2024/2/27 上午10:22:30
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HBM供不应求：SK海力士售罄！美光售罄！
發表于：2024/2/26 上午10:03:03
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1c纳米内存竞争：三星计划增加EUV使用，美光将引入钼、钌材料
發表于：2024/2/4 上午10:21:00
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三星宣布开发280层QLC闪存：M.2 SSD可达16TB！
發表于：2024/1/30 上午9:42:49
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美光率先上市基于LPDDR5X的 LPCAMM2内存模块
發表于：2024/1/19 上午9:53:00
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消息称英伟达已向SK海力士和美光预购大量HBM3内存
發表于：2024/1/4 上午10:39:10
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