4 月 25 日消息，美國政府近日宣布，根據雙方簽訂的不具約束力的初步備忘錄，美國政府將根據《芯片與科學法案》向美光提供至多 61.4 億美元（當前約 445.76 億元人民幣）直接補貼。

這筆補貼將支持美光到 2030 年在美國投資 500 億美元（當前約 3630 億元人民幣），在紐約州克萊建設兩座先進 DRAM 內存“超級晶圓廠”；

并在總部所在地愛達荷州博伊西建設一座先進 DRAM 內存大規模量產工廠。

美光博伊西晶圓廠將于 2025 年上線投運，2026 年啟動 DRAM 生產；美光在克萊的首座晶圓廠 2025 年開始建設，2028 年上線。

500 億是美光更長期 1250 億美元投資的一部分：美光目標在紐約州克萊投資共計 1000 億美元，到 2041 年建成四座這樣的“超級晶圓廠”；博伊西項目則價值 250 億美元。

計劃中的每座晶圓廠的潔凈室面積都將達到 600000 平方英尺（約 55740 平方米）。

美光預計，前三家晶圓廠的投運將推動美國在全球先進內存制造領域的份額從現在的不到 2% 成長至 2035 年的約 10%。

未來的二十多年中，美光的這五家晶圓廠將創造 11000 個企業內部工作崗位、9000 個建筑工作崗位和 55000 個間接工作崗位。

根據備忘錄，美光還可獲得至高 75 億美元（當前約 544.5 億元人民幣）的貸款；美光也有資格獲得美國財政部的投資稅收抵免；此外紐約州政府也將提供價值 55 億美元（當前約 399.3 億元人民幣）的激勵措施。