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消息称三星电子HBM4内存逻辑芯片进展较佳
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HBM4内存正式标准化 JEDEC发布JESD270-4规范
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消息称美光加速HBM内存TC键合设备采购
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HBM3E内存竞赛升温
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据称长鑫存储正考虑提高DDR4产品价格
發表于：2025/4/7 上午11:03:11
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科美存储发布首款100%国产DDR5 RDIMM内存条
發表于：2025/4/3 下午3:13:53
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SK海力士宣布全球率先向客户提供12层HBM4内存样品
發表于：2025/3/19 上午11:25:37
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韩国半导体对华出口暴跌
發表于：2025/3/18 上午9:20:36
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三星电子展望未来HBM内存
發表于：2025/3/17 上午11:28:38
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美光宣布1γ DRAM内存开始出货
發表于：2025/2/26 上午10:22:00
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三星电子公布HBM4E内存规划
發表于：2025/2/25 上午11:17:00
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美国研究人员成功在1立方毫米晶体中存储数TB数据
發表于：2025/2/24 上午11:05:02
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今年一季度NAND Flash价格将继续下跌13-18%
發表于：2025/2/18 上午9:28:06
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三星电子正调整1c nm DRAM内存设计以保障良率
發表于：2025/2/12 上午11:22:07
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Omdia：预计 PC/服务器/移动内存价格今年前三季度累计下滑15%
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消息称三星电子已将1c nm内存开发良率里程碑推迟半年
發表于：2025/1/21 下午1:00:00
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消息称美光将加入16-Hi HBM3E战场
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美光新加坡HBM内存先进封装工厂动工
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三星准备开发传统结构1e nm DRAM
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国产DDR5内存首次拆解
發表于：2024/12/23 上午9:28:29
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首款国产DDR5内存终于来了
發表于：2024/12/18 上午11:41:40
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消息称三星电子启动下代1c nm DRAM内存量产设备订购
發表于：2024/12/11 上午11:39:59
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消息称内存原厂考虑HBM4采用无助焊剂键合
發表于：2024/11/15 上午11:05:20
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60秒看懂DDR5内存标签
發表于：2024/10/28 上午9:26:08
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2024年第二季DRAM产业营收环比增长24.8%
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Intel官宣放弃傲腾持久内存200系列
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消息称SK 海力士五层堆叠3D DRAM内存良率已达56.1%
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消息称三星电子已提前组建1dnm内存技术开发团队
發表于：2024/5/10 上午9:00:16
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SK海力士：12层堆叠HBM3E开发三季度完成
發表于：2024/4/26 上午8:59:13
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东京大学研制出新型半导体器件
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