| X波段负载不敏感高效率非对称式放大器MMIC | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大小：4532 K | |
| 標簽： 氮化镓 负载不敏感功率放大器 非对称阻抗匹配 | |
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| 文檔介紹：为了应对天线阻抗变化，基于非对称拓扑电路结构，设计了一款功率放大器。该功率放大器采用0.25 μm GaN HEMT工艺，在8~12 GHz频段内高效率且具有负载不敏感特性，实现了高效率、小尺寸与良好负载不敏感特性三者之间的平衡。在连续波测试条件下，该芯片在8~12 GHz频段内，饱和输出功率为42.1~43.3 dBm，功率附加效率为46.8%~55.5% 。当负载失配（电压驻波比为3：1）时，频段内输出功率的变化幅度均值为2.2 dBm。 | |
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