| X波段60 W高功率高效率功率放大器设计 | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大小：4109 K | |
| 標簽： 功率放大器 氮化镓 高功率 | |
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| 文檔介紹：基于0.25 μm栅长的GaN HEMT工艺，设计了一款8~12 GHz 60 W高功率放大器。该芯片的末级输出端功率合成网络在Bus-bar总线型的基础上添加并联LC到地枝节，达到优化各路平衡度的目的，在实现高功率输出的同时使芯片整体结构紧凑且易于匹配。采用输入端二次谐波阻抗匹配技术，在不影响输出功率的前提下提升高频效率。输出级匹配结构采用两段串电感并电容匹配的方式，将输出级阻抗匹配至目标阻抗的同时实现较低的匹配损耗。在脉宽100 μs、占空比10%测试条件下，该放大器饱和输出功率在8~12 GHz范围内大于48 dBm，效率大于35%，功率增益为23 dB。芯片尺寸为3.97 mm×5 mm。 | |
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