| 基于GaN HEMT宽带低噪声放大器设计 | |
| 所屬分類：技术论文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：671 K | |
| 標簽： 低噪声放大器 氮化镓 高电子迁移率晶体管 | |
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| 文檔介紹：为了满足不同通信标准的要求，利用氮化镓高电子迁移率晶体管器件设计了一个高线性度宽频带低噪声放大器。低噪声放大器采用两级电阻负反馈结构，利用集总参数元件和微带线对低噪声放大器的输入和输出匹配网络进行优化，实现低噪声、高线性度、宽频带和小回波损耗。在1～3 GHz频率范围内,仿真结果表明，低噪声放大器的噪声噪声系数为2.39～3.21 dB，输入端反射系数小于-10.6 dB，输出端反射系数小于-17.9 dB，增益为23.74～25.68 dB，增益平坦度小于±0.97 dB，1 dB压缩点输出功率大于24.12 dBm，三阶交调截取点输出功率大于36.55 dBm。实际测试增益为22.08～26.12 dB，基本符合仿真结果。 | |
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