英特爾昨日（6 月 16 日）發(fā)布公告，宣布在 2026 年 VLSI Symposium 半導體研討會上，更新公布了工藝路線圖，宣布 18A-P 進入風險生產階段。

注：VLSI Symposium 是全球半導體集成電路和微電子器件領域最頂級的國際學術會議之一。它與 ISSCC、IEDM 并稱為集成電路領域的“三駕馬車”，在學術界和工業(yè)界享有極高的聲譽。

英特爾在博文中宣布 18A-P 工藝按照此前規(guī)劃時間表推進，目前已進入風險生產階段（Risk Production）。該階段是指晶圓廠在某項全新工藝技術初步穩(wěn)定后，生產供客戶測試的首批芯片。

此階段良率未達最大規(guī)模量產標準，主要用于生產工程驗證（ES）和早期認證（QS）樣品，幫助客戶優(yōu)化設計、調整良率。

引博文介紹，18A-P 工藝是英特爾 18A 家族的首個性能增強版本，面向客戶復用現(xiàn)有 IP 與設計流程。在同性能下，功耗可降低 18%；在同功耗下，性能可提升 9%。同時，它還帶來更好的熱特性和更大的設計靈活性，適合對頻率和能效都敏感的先進芯片。

工藝層面，Intel 推出 Power Boost，這是雙接觸、低電阻晶體管選項，可在匹配電容下提升驅動電流和頻率。

英特爾還改善 20% 至 40% 的熱阻，以及優(yōu)化 10% 至 30% 的通孔電阻，并加入第五種邏輯 Vt 組合，幫助設計者平衡速度與功耗。