5月24日消息，面對技術封鎖，華為通過板級封裝創新實現存儲領域突破。

據國際存儲行業權威媒體Blocks&Files率先報道，近日在巴黎華為IDI Forum 2026活動上，華為展示了基于自研Die-on-Board（板上裸片封裝，簡稱DoB）封裝技術的大容量SSD系列，目前已量產61.44TB和122.88TB兩款產品，245TB版本也在規劃中，為AI數據中心和海量存儲場景提供國產化方案。

由于被列入美國實體清單，華為無法獲取采用美國技術生產的最新3D NAND芯片，在原有庫存耗盡后，只能使用長江存儲等中國本土廠商生產的NAND閃存。如果繼續沿用行業通用的傳統封裝方案，其SSD產品在容量上會明顯落后于主流廠商的同類產品。

正是在這樣的背景下，華為選擇繞開3D NAND層數競賽，轉而在板級封裝領域進行底層創新，通過將NAND裸片直接堆疊在PCB板上的方式，實現了比傳統NAND封裝更高的容量密度，同時通過更緊密的芯片集成降低了生產成本。

DoB板上裸片封裝是華為自研的晶圓級組裝技術，其核心邏輯與行業通用的傳統SSD封裝存在本質區別。

三星、鎧俠、美光等主流廠商均采用先封裝后焊接的傳統模式，即先將NAND閃存裸片放入TSOP（薄型小尺寸封裝）或BGA（球柵陣列封裝）的標準封裝體內進行多芯片堆疊，制成獨立的成品芯片后，再通過引腳或焊球焊接到SSD的PCB主板上。

其中TSOP是早期主流封裝，引腳分布在芯片兩側。BGA則是當前通用方案，將引腳改為底部焊球，能容納更多堆疊層，但兩者都受限于封裝體的固定物理尺寸，傳統工藝最多只能實現16層裸片堆疊。

而板上裸片封裝徹底跳過了NAND芯片的獨立封裝環節，直接將未經封裝的NAND裸片焊接在SSD的PCB基板上。Blocks&Files指出，這種設計讓華為能夠在不依賴高堆疊層數3D NAND芯片的情況下，將單位空間內的容量密度提升了33%，同時突破了傳統TSOP/BGA封裝的16層堆疊物理限制，最高可實現36層裸片堆疊。

當然，這種封裝方式也帶來了散熱管理和信號完整性兩大行業難題，華為研發團隊經過專項技術攻關，最終實現了該技術的規模化商用。

目前，這項自研技術已全面應用于華為企業級存儲產品線。本次展會展示的OceanDisk 1800智能盤柜在2U空間內可提供1.47PB容量，OceanDisk 1610則能在相同空間內容納36塊61.44TB SSD，總容量達2.2PB。

事實上，早在去年8月，華為就已發布搭載板上裸片封裝技術的Ocean StorPacific 9926全閃分布式存儲，該產品2U機箱可容納36塊122.88TB NVMeSSD，提供4.42PB原始容量，經2.5:1壓縮后有效容量達11PB。

對比來看，戴爾同規格2U機箱采用40塊鎧俠LC9 QLC NVMe 245.88TB SSD，可提供10PB原始容量，華為雖在單盤容量上仍有差距，但已大幅縮小與國際廠商的距離。

業內分析認為，板上裸片封裝技術為國產存儲開辟了一條繞開3D NAND層數限制的新路徑，也為全球存儲產業的技術演進提供了新方向。