4 月 23 日消息，臺積電 (TSMC) 美國當(dāng)?shù)貢r間 22 日舉行了 2026 年北美技術(shù)論壇，其中在尖端邏輯制程方面該企業(yè)揭示了 A14 后的 A13、A12 尖端工藝，這兩項技術(shù)均將于 2029 年量產(chǎn)。
A13 是對 A14 的直接光學(xué)收縮，在設(shè)計規(guī)則與 A14 完全向后兼容的同時節(jié)省了 6% 的面積。
此外其通過設(shè)計與技術(shù)協(xié)同優(yōu)化，提供了額外的能效及性能提升。
而 A12 是臺積電在 A16 后的新一代的超級電軌 (Super Power Rail) 背面供電工藝，面向 AI / HPC 應(yīng)用場景。
臺積電還宣布了 2nm 平臺的演進版本 N2U，其速度較 N2P 提升 3-4% 或功耗降低 8-10% ，邏輯密度提升 2-3%，預(yù)計于 2028 年開始生產(chǎn)。
一并推出的還有首款采用 GAA 的車用制程技術(shù) N2A，其在相同功耗下速度較今年投產(chǎn)的 N3A 提升 15-20%，預(yù)計于 2028 年完成 AEC-Q100 驗證。
在相對成熟的邏輯工藝方面，臺積電今年將率先將高壓技術(shù)引入 FinFET 晶體管技術(shù)，帶來面向 DDIC 的 N16HV 制程技術(shù)。
這項工藝相較 N28HV 柵極密度增加 41%，功耗降低 35%。
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