3 月 4 日消息，AI 芯片、存儲芯片和邏輯處理器需求持續飆升，正在推動亞洲半導體企業大幅提高投資規模。今天晚間，集邦咨詢 TrendForce 數據顯示，亞洲多家主要芯片廠商今年資本支出預計將超過 1360 億美元，比 2025 年增長約 25%，其中臺積電、三星電子和 SK 海力士是擴產的核心力量。

亞洲晶圓代工龍頭和存儲廠商正在顯著增加 2026 年投資規模。譬如，臺積電今年資本支出將達到 520 億至 560 億美元（現匯率約合 3595.83 億至 3872.43 億元人民幣）的歷史新高，同比增長 27% 至 37%。其中約 70% 至 80% 用于先進制程，其余用于特殊制程和先進封裝。

中芯國際也保持高水平投資，其資本支出規模幾乎與全年營收相當，重點用于本土產能建設。預計該公司 2026 年的資本支出將與 2025 年基本持平，仍將保持在 80 億美元（現匯率約合 553.2 億元人民幣）以上。

與此同時，三星電子和 SK 海力士也在加大投資力度。TrendForce 預計，三星電子 2026 年資本支出將同比增長約 3.7%，SK 海力士可能提高約 24%。兩家公司都在擴大產能，新增產能主要用于 HBM 高帶寬存儲。

三星計劃在 2026 年將 DRAM 產量提高約 20%，重點依托平澤 P4 工廠，并主要生產 10nm 級第六代（1C）DRAM，以配合 HBM4 需求。

SK 海力士方面，EBN 稱其清州 M15X 工廠已完成準備，大部分新增產能預計將用于 HBM 生產。

消息稱 SK 海力士已經上調 1C DRAM 擴產計劃。業內預計到 2027 年第一季度末，其月產能可能達到 17 萬至 20 萬片，接近原定目標的兩倍。

NAND 領域，鎧俠與閃迪的聯盟也成為擴產最激進的力量之一。預計該合資項目 2026 年資本支出增長約 40%。

值得注意的是，這輪投資潮也蔓延到二線存儲廠商。例如，華邦電子計劃在 2026 年投入 421 億新臺幣（現匯率約合 93 億元人民幣），接近去年的八倍。

華邦電子主要生產用于各類設備存儲源代碼 NOR 閃存芯片，以及定制化舊制程 DRAM，預計 2026 年第一季度平均售價將上漲 30% 以上。

全球第五大 DRAM 廠商南亞科技也宣布大幅提高投資規模。在經歷近三年的行業低迷后，其將 2026 年資本支出提高到此前水平的兩倍以上。據悉，南亞科技已經公布 500 億新臺幣的資本支出預算，新工廠預計將在 2028 年上半年達到每月 2 萬片晶圓產能。