12 月 4 日消息，韓媒《文化日報》當地時間今日報道稱，SK 海力士在繼續發展先進存儲制程的同時也將進入利基型 DRAM 制造領域，豐富業務范圍。
報道提到，SK 海力士正與一家韓國 Fabless 無晶圓廠半導體設計企業合作，計劃最早在 2027 年開始生產定制的專用 DRAM 內存，雙方正就具體項目和產能進行交涉。
消息指出，SK 海力士考慮利用設在中國江蘇無錫的晶圓廠制造利基型 DRAM，這有利于保持相對較老的生產線的利用率，同時能降低韓國 Fabless 企業對力積電等的依賴。
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