光刻機大廠ASML于11月19日在中國臺灣舉行媒體會，ASML中國臺灣暨東南亞區客戶營銷主管徐寬成指出，隨著半導體制程技術持續不斷微縮，High NA EUV光刻機將有助于客戶節省時間及成本，目前客戶已有英特爾、IBM 及三星等，累積超過35萬片晶圓使用High NA EUV光刻機曝光。
徐寬成說，當今社會正從芯片無所不在，轉變成人工智能（AI）無所不在。AI將驅動半導體先進及成熟制程需求成長，預期2030年全球半導體銷售額將突破1萬億美元大關。
當前摩爾定律的延續雖然有挑戰，不過未來10至15年仍會依照摩爾定律方向持續發展，半導體制程技術仍將不斷微縮。徐寬成說，過去在浸潤式光刻推進至極紫外光（EUV）光刻時，業界就曾出現過雜音，目前High NA EUV面臨同樣的情況。
徐寬成這里所說的關于High NA EUV的雜音，主要是指業界有觀點認為，High NA EUV太過昂貴，投入使用所帶來的收益將不成比例。
此前，臺積電業務開發及全球銷售高級副總裁張曉強就曾公開表示，雖然對High NA EUV能力印象深刻，但設備價格超過 3.5 億歐元（3.78 億美元）。目前的標準型EUV光刻機，仍可以支持臺積電尖端制程的生產到2026年，臺積電尖端制程A16也將會繼續采用標準型EUV光刻機來進行生產。隨后，在荷蘭阿姆斯特丹舉行的臺積電技術論壇歐洲站活動上，張曉強再度重申了其對High NA EUV光刻機的長期立場，該公司的A16（1.6nm級）和 A14（1.4nm級）工藝技術都不會采用 High NA EUV光刻機。
對此，徐寬成指出，High NA EUV設備因具有更高成像質量及簡化流程優勢，有助于客戶節省時間與成本。
據徐寬成介紹，目前ASML的High NA EUV客戶有英特爾（Intel）、IBM及三星（Samsung），累計超過35萬片晶圓使用High NA EUV光刻機制造。不過，今年9月3日，SK海力士公司曾宣布，該公司已經在韓國利川的M16制造工廠安裝了首個High NA EUV（高數值孔徑極紫外光刻）系統并投入量產。
除了瞄準尖端制程的High NA EUV之外，ASML也持續優化深紫外光（DUV）微影設備，協助客戶以更低成本滿足大量DUV曝光需求。此外，ASML還推出XT：260，以支持先進封裝應用。
