據標述科技報道，浙江晶盛機電股份有限公司近期在其投資者關系活動中確認，公司首條12英寸碳化硅襯底加工研發中試線已于2025年9月26日在其子公司爍科晶研正式貫通。報道指出，該中試線的關鍵突破在于其所有環節設備均為自主研發，實現了100%國產化。

12英寸碳化硅技術浪潮興起

報道指出，增大晶圓尺寸是降低成本的關鍵路徑。據晶盛機電表示，與當前主流的8英寸產品相比，12英寸碳化硅襯底每片晶圓可產出的芯片數量提升約2.5倍，將在大規模量產時顯著降低單位成本。

報道援引行業分析稱，一旦12英寸襯底進入量產階段，單片成本有望下降約40%，而車規級功率模塊單價可能從目前的150美元左右降至約90美元。報道補充指出，這將為新能源汽車、光伏發電、5G通信等下游領域的成本優化發揮關鍵作用。

在晶盛機電推進技術的同時，其他公司也在推動12英寸碳化硅的發展。報道強調，隨著國內企業中科鋼研的12英寸碳化硅襯底線良率已達65%并目標在2025年底實現量產，以及英飛凌與天科合達正合作開發計劃于2026年問世的12英寸溝槽柵SiC MOSFET，大尺寸碳化硅時代正加速到來。

國內產業全球影響力持續提升，自主化進程加速

在我國持續推進碳化硅產業自主可控的背景下，國內企業正快速擴大其全球影響力。報道援引行業數據稱，中國在全球碳化硅襯底市場的份額預計將從2024年的35%提升至2025年的60%，設備國產化率將超過80%。根據集邦咨詢數據，2024年 Wolfspeed 以34%的份額引領全球碳化硅襯底市場，但國內競爭對手天科合達和中科鋼研正奮起直追，市場份額均已達到17%。

碳化硅應用領域不斷拓展

報道顯示，新能源汽車仍是碳化硅功率器件最大的應用市場，在2024年占據全球市場的73.1%。報道同時強調，AI數據中心正成為新的增長動力，不斷上升的功耗和散熱需求推動電源和冷卻系統升級，碳化硅有望助力解決高端AI芯片的散熱挑戰。

值得注意的是，據《財富》雜志報道，英偉達據稱計劃在其下一代Rubin架構中采用碳化硅替代傳統硅襯底，以瞄準更高性能——這一轉變可能為行業開啟新的機遇。