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我国科学家成功研发全新架构闪存芯片

2025-10-10
來源:每日经济新闻
關鍵詞: 复旦大学 闪存

繼今年4月在《自然》提出“破曉”二維閃存原型器件后,復旦大學科研團隊又迎來新突破。

據復旦大學公眾號消息,北京時間10月8日晚,復旦大學在《自然》(Nature)上發文,題目為《全功能二維-硅基混合架構閃存芯片》(“A full-featured 2D flash chip enabled by system integration”),相關成果率先實現全球首顆二維-硅基混合架構芯片,攻克新型二維信息器件工程化關鍵難題。

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圖片來源:復旦大學公眾號截圖


面對摩爾定律逼近物理極限的全球性挑戰,具有原子級厚度的二維半導體是目前國際公認的破局關鍵,科學家們一直在探索如何將二維半導體材料應用于集成電路中。當前,國際上對二維半導體的研究仍在起步階段,尚未實現大規模應用。

大數據與人工智能時代對數據存取性能提出了極致要求,而傳統存儲器的速度與功耗已成為阻礙算力發展的“卡脖子”問題之一。今年4月,周鵬-劉春森團隊于《自然》(Nature)期刊提出“破曉”二維閃存原型器件,實現了400皮秒超高速非易失存儲,是迄今最快的半導體電荷存儲技術,為打破算力發展困境提供了底層原理。

“從目前技術來看,存儲器是二維電子器件最有可能首個產業化的器件類型。因為它對材料質量和工藝制造沒有提出更高要求,而且能夠達到的性能指標遠超現在的產業化技術,可能會產生一些顛覆性的應用場景。”在存儲器領域深耕多年的周鵬認為。


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