近日，全球半導體器件領域的“奧林匹克盛會”——IEEE國際電子器件大會（IEDM）2025年入選論文名單公布。本次會議，中國力量表現尤為亮眼，論文總數再創新高，充分展現了我國在半導體前沿技術研發上的持續創新能力。
IEDM學術高地，中國科研持續突破
IEDM在國際半導體技術界享有崇高學術地位和廣泛影響力，是英特爾、IBM、TSMC、IMEC等產業巨頭和頂尖研發機構報告其最新研究成果和技術突破的主要平臺。根據已公布的信息，北京大學以21篇論文的絕對優勢蟬聯全球第一，同時，中國內地機構共計入選67篇論文，科研力量呈現百花齊放態勢，中國科學院微電子研究所、清華大學、南京大學等高校院所均貢獻了重要研究成果。
兩項尖端技術領跑，長鑫打通“學術-產業”轉化路，位列第一
在企業陣營中，長鑫科技（CXMT）成為中國半導體產業的“高光代表”——以2篇論文入選的成績領跑國內企業，聚焦的3D FeRAM（鐵電存儲器）與新型多層堆疊DRAM兩大技術方向，均直擊未來存儲領域核心痛點。
技術研究上，長鑫科技實現了“雙首次”：在3D FeRAM領域，首次達成單片集成的堆疊式鐵電存儲，為低功耗、非易失性存儲應用筑牢技術根基；在DRAM領域，展示全球首個BEOL集成的多層DRAM架構，成功為突破傳統DRAM的密度與性能瓶頸開辟新路徑。DRAM產品在存儲芯片領域本就相較Nand產品具有更高的技術要求和科研難度，長鑫科技兩項技術研究在國際學術舞臺獲得認可，將進一步拉開與存儲產業內其他廠商的競爭優勢，通過技術硬實力鎖定未來競爭力。
這一系列成果標志著中國半導體產業在前沿技術探索中，正從“跟跑”加速邁向“并跑”，未來部分領域甚至實現“領跑”。而長鑫科技的實踐，更為國內企業打通“學術論文到產業成果”的轉化通道提供了可借鑒的范本。
夯實基礎研發，鑄就產業長遠競爭力
中國半導體產業的崛起，始終以基礎研究為壓艙石。IEDM上的亮眼表現，正是國內長期投入科研的集中體現——國家自然科學基金、國家重點研發計劃等國家級項目的持續支持，以及國家集成電路產教融合創新平臺的搭建，為科研創新提供了堅實保障。
值得關注的是，在技術突破的同時，長鑫科技正積極推進 IPO進程。依托3D FeRAM、多層堆疊DRAM等領先技術加持，其企業投資價值已成為資本市場關注焦點，進一步凸顯中國半導體企業“技術+產業”雙輪驅動的發展潛力。
從高校學術優勢鞏固，到企業技術落地加速，本次IEDM清晰展現了中國半導體“產學研”協同并進的格局。這一態勢不僅為我國半導體產業在全球競爭中贏得更多主動權，更為行業未來長遠發展注入了強勁的確定性。
