近日，英國南安普敦大學宣布，成功開設了日本以外首個分辨率達 5 納米以下的尖端電子束光刻 (EBL) 中心，可以制造下一代半導體芯片。這也是全球第二個，歐洲首個此類電子束光刻中心。

據介紹，該電子束光刻中心采用了日本JEOL的加速電壓直寫電子束光刻 (EBL) 系統，這也是全球第二臺200kV 系統（JEOL JBX-8100 G3）（第一臺在日本），其可以在 200 毫米晶圓上實現低于5納米級精細結構的分辨率處理。這可以在厚至 10 微米的光刻膠中實現，且側壁幾乎垂直，可用于開發電子和光子學領域研究芯片中的新結構。JEOL的第二代EBL 設備——100kV JEOL JBX-A9 將計劃用于支持更大批量的 300 毫米晶圓。

目前JEOL的加速電壓直寫電子束光刻系統（JEOL JBX-8100 G3）已經安裝在了南安普頓大學蒙巴頓綜合大樓內一個專門建造的 820 平方米潔凈室內。

英國科學部長帕特里克·瓦蘭斯勛爵 （Lord Patrick Vallance）表示：“英國是世界上一些最令人興奮的半導體研究的所在地，南安普敦的新電子束設施極大地提升了我們的國家能力。通過投資基礎設施和人才，我們為研究人員和創新者提供了在英國開發下一代芯片所需的支持。”

△南安普敦大學科學部長 Lord Vallance 勛爵、南安普敦大學校長 Mark E. Smith 教授、領導光電子研究中心 （ORC） 和 CORNERSTONE 的 Graham Reed 教授、日本Jeol CEO Osamu Wakimoto一起為該新設施揭幕。

“我們非常榮幸成為日本以外首個擁有這套新一代200千伏電子束光刻系統的機構。南安普頓大學在電子束光刻領域擁有超過30年的經驗，”南安普頓大學馬丁·查爾頓教授說道。“這將有助于推動量子計算、硅光子學和下一代電子系統領域的發展。這套設備與我們現有的微加工設備套件相得益彰，使我們能夠研發和生產各種用于電子、光子學和生物納米技術的集成納米級器件。”

Graham Reed 教授補充道：“新電子束設施的引入將加強我們在英國學術界擁有最先進的潔凈室的地位。它促進了大量創新和工業相關的研究，以及急需的半導體技能培訓。”

一項新的研究表明，在英國蓬勃發展的半導體行業中實現增長的最大障礙之一是缺乏新興人才。一名半導體工人平均每年可以為英國經濟貢獻 460,000 英鎊。

英國政府已經推出了一項新的 475 萬英鎊的半導體技能計劃，以幫助建立推動這一高增長行業所需的人才基礎。

該一攬子計劃還將有助于加強南安普敦等一流大學的研發能力，這些大學對英國半導體創新和人才發展至關重要。

Vallance 勛爵補充道：“我們 475 萬英鎊的技能計劃將通過幫助更多年輕人進入高價值半導體職業、縮小技能差距并支持這一關鍵領域的增長來支持我們的變革計劃。”