9月4日，晶圓代工廠商力積電宣布，AMD等美國及日本廠商將以力積電Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術，結合一線晶圓代工廠的先進邏輯制程，開發高帶寬、高容量、低功耗的3D AI芯片，為大型語言模型AI應用及AI PC提供低成本、高效能的解決方案。
針對AI帶來的對于GPU與HBM需求，力積電推出的高密度電容IPD的2.5D Interposer（中介層），也通過了國際大廠認證，將在力積電銅鑼新廠導入量產。
此前，力積電與工研院合作開發了全球首款專為生成式AI應用所設計的3D AI芯片，剛拿下2024 World R?&D100 AI芯片大獎，同時于今年SEMICON Taiwan 2024大展發布了3D晶圓堆疊的Logic-DRAM芯片制程技術，以此創新制程生產的3D AI芯片，應用在人工智能推論（Inference）系統，已展現數據傳輸帶寬是傳統AI芯片10倍、功耗僅七分之一的優異性能。
力積電近年大力研發的3D晶圓堆疊Logic-DRAM芯片制程技術，目前已和AMD、日本GPU芯片設計業者及多家國際系統大廠聯手，以力積電Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術，與一線晶圓代工大廠先進邏輯制程合作開發新型3D AI芯片，發揮3D晶圓堆疊的優勢。
根據不同客戶的AI芯片設計需求，力積電表示，透過合作伙伴愛普公司設計定制化DRAM芯片，再加上Logic-DRAM多層晶圓堆疊技術，與現有采用HBM的2.5D AI芯片構架相較，新款3D AI芯片能在相同單位面積提供高達100倍傳輸帶寬、龐大內存容量。
另外，為支持GPU與HBM2E、HBM3的傳輸，力積電根據客戶需求開發的2.5D Interposer搭配高密度電容IPD產品，已通過國際大廠的認證，目前該公司正積極在銅鑼新廠布建生產線，以因應客戶需求加速導入量產。
