韓媒 etnews 近日報道稱 SK 海力士將于今年引入 8 臺 EUV 光刻機，推動 DRAM 內存產品的技術演進。

SK 海力士現有 5 臺光刻機。到今年末，若加上韓媒報道中稱的 8 臺，其擁有的 EUV 光刻機總數將達 13 臺，較年初翻倍有余，大幅提升 EUV 曝光能力。

SK 海力士于第四代 10 納米級制程 ——1anm 制程中首次引入 EUV 光刻，當時僅在 1 個步驟中使用；而來到目前的 1bnm 節點中，EUV 使用步驟提升到 4 個；至于正在研發的 1cnm 工藝，據 etnews 透露，EUV 使用量將進一步提升至 6 個步驟。

SK 海力士于去年 5 月完成了 1bnm 制程服務器內存的技術研發，并宣布計劃于今年上半年將這一先進工藝擴展到 LPDDR5T 和 HBM3E 等移動 / AI 服務器領域熱門 DRAM 內存產品中，這也增加了對 EUV 曝光的需求。此外曲線升級無錫工廠產能至 1anm 也將增加 SK 海力士在韓國本土的 EUV 用量。

采用 EUV 的 SK 海力士 1bnm DDR5 內存條

SK 海力士今年計劃在半導體設備領域投資 5.3 萬億韓元（IT之家備注：當前約 286.73 億元人民幣）。etnews 稱新 EUV 設備總共價值約 2 萬億韓元，預計將占到整體設備投資的近四成。

etnews 就 EUV 設備引進計劃向 SK 海力士發言人尋求回應，發言人表示“無法確認公司設備投資情況”。