1月25日消息，今天，英特爾官方發布公告稱，已實現基于業界領先的半導體封裝解決方案的大規模生產，可在2030年后繼續推進摩爾定律。

這一進展不僅可以在芯片產品的性能、尺寸，以及設計應用的靈活性方面獲得競爭優勢，還將推動英特爾下一階段的先進封裝技術創新。

英特爾表示，在其最新完成升級的美國新墨西哥州Fab 9工廠，實現基于業界領先的半導體封裝解決方案的大規模生產，其中包括英特爾突破性的3D封裝技術Foveros。

據了解，英特爾Foveros是3D先進封裝技術，在處理器的制造過程中，能夠以垂直而非水平方式堆疊計算模塊。

英特爾的Foveros和EMIB等封裝技術，可以實現在單個封裝中集成一萬億個晶體管，并在2030年后繼續推進摩爾定律。

摩爾定律是Intel創始人之一戈登·摩爾的經驗之談，其核心內容為：

集成電路上可以容納的晶體管數量，每經過18-24個月便會翻一番，而處理器的性能大約每2年翻一倍，同時價格降低一半。

英特爾CEO帕特·基辛格此前也曾表示，“對于那些宣告我們(摩爾定律)已經死亡的批評者來說，在元素周期表用完之前，我們絕不會停下！”