眾所周知，SiC材料的特性和優勢已被大規模地證實，它被認為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導體材料。SiC器件的可靠性是開發工程師所關心的重點之一，因為在出現基于Si材料的IGBT和MOSFET器件的同時，沒有出現基于SiC的類似器件。

　　SiC-MOSFET與IGBT有許多不同，但它們到底有什么區別呢？本文將針對與IGBT的區別進行介紹。

　　與IGBT的區別：Vd-Id特性

　　Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。下面是25℃和150℃時的Vd-Id特性。

　　對SiC-MOSFET與IGBT的區別進行介紹

　　請看25℃時的特性圖表。SiC及Si MOSFET的Id相對Vd（Vds）呈線性增加，但由于IGBT有上升電壓，因此在低電流范圍MOSFET元器件的Vds更低（對于IGBT來說是集電極電流、集電極-發射極間電壓）。不言而喻，Vd-Id特性也是導通電阻特性。根據歐姆定律，相對Id，Vd越低導通電阻越小，特性曲線的斜率越陡，導通電阻越低。

　　IGBT的低Vd（或低Id）范圍（在本例中是Vd到1V左右的范圍），在IGBT中是可忽略不計的范圍。這在高電壓大電流應用中不會構成問題，但當用電設備的電力需求從低功率到高功率范圍較寬時，低功率范圍的效率并不高。

　　相比之下，SiC MOSFET可在更寬的范圍內保持低導通電阻。

　　此外，可以看到，與150℃時的Si MOSFET特性相比，SiC、Si-MOSFET的特性曲線斜率均放緩，因而導通電阻增加。但是，SiC-MOSFET在25℃時的變動很小，在25℃環境下特性相近的產品，差距變大，溫度增高時SiC MOSFET的導通電阻變化較小。

　　與IGBT的區別：關斷損耗特性

　　前面多次提到過，SiC功率元器件的開關特性優異，可處理大功率并高速開關。在此具體就與IGBT開關損耗特性的區別進行說明。

　　眾所周知，當IGBT的開關OFF時，會流過元器件結構引起的尾（tail）電流，因此開關損耗增加是IGBT的基本特性。

　　比較開關OFF時的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流過尾電流，因此相應的開關損耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基勢壘二極管）的組合與IGBT＋FRD（快速恢復二極管）的關斷損耗Eoff相比，降低了88%。

　　還有重要的一點是IGBT的尾電流隨溫度升高而增加。順便提一下，SiC-MOSFET的高速驅動需要適當調整外置的柵極電阻Rg。

　　與IGBT的區別：導通損耗特性

　　接下來看開關導通時的損耗。

　　IGBT在開關導通時，流過Ic（藍色曲線）用紅色虛線圈起來部分的電流。這多半是二極管的恢復電流帶來的，是開關導通時的一大損耗。請記住：在并聯使用SiC-SBC時，加上恢復特性的快速性，MOSFET開關導通時的損耗減少；FRD成對時的開關導通損耗與IGBT的尾電流一樣隨溫度升高而增加。

　　總之，關于開關損耗特性可以明確的是：SiC-MOSFET優于IGBT；SiC MOSFET也已經具有廣泛工業應用所要求的質量水平。另外，這里提供的數據是在羅姆試驗環境下的結果。驅動電路等條件不同，結果也可能不同，要記住具體問題具體分析哦！