臺積電為了打贏7納米制程之戰，在各方面積極布局，日前合作伙伴新思科技(Synopsys)針對7納米制程成功完成DesignWare基礎和介面PHY IP組合的投片，與16FF+制程相比，臺積電的7納米制程能降低功耗達60%，并提升35%的效能。
臺積電的7納米制程是非常重要的一個世代，不同于10納米制程偏向過度性質，7納米不但是長壽制程，且瞄準未來潛力無限的高速運算(HPC)市場，且會是和三星電子(Samsung Electronics)一較高下的一個技術里程碑。
新思表示，針對臺積公司7納米制程技術已成功完成的DesignWare基礎及介面PHY IP組合的投片包括邏輯庫、嵌入式存儲器、嵌入式測試及修復、USB 3.1/2.0、USB-C 3.1/DisplayPort 1.4、DDR4/3、MIPI D-PHY、PCIE 4.0/3.1、以太網絡和SATA 6G。
而其他DesignWare IP包括LPDDR4x、HBM2、MIPI-PHY預計于2017年完成投片。
再者，新思指出，用于臺積電7納米制程的DesignWare基礎及介面IP組合已經問世，STAR存儲器系統解決方案已可用于所有臺積電的制程技術。
新思表示，臺積電的7納米制程能讓設計人員降低功耗達60%，以及提升35%效能，借由提供針對臺積電最新7納米制程的IP組合，新思可達到移動裝置、車用電子、高效運算應用在功耗及效能上的要求。
臺積電設計基礎架構行銷事業部資深協理Suk Lee表示，針對臺積電的7納米制程上，新思成功完成DesignWare基礎及介面IP組合的投片，顯示新思在IP領域的領導地位，其開發的IP能協助雙方客戶達到在功耗、效能、芯片面積的提升。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。