韓國三星電子(Samsung)近日在上海舉辦技術論壇，本次會議主要議題是宣布其新的晶圓代工策略，同時也是為爭取大陸IC設計廠代工訂單。三星指出，預計今年底10納米可以上線，7納米制程將采用最先進的極紫外光(EUV)微影技術，并將針對物聯網及汽車電子提供低功耗的28納米FD-SOI制程。

　　同時，三星原本只生產自有芯片的8寸晶圓廠，現在也將開放并爭取模擬IC或LCD驅動IC等晶圓代工訂單。

　　臺灣晶圓代工廠臺積電、聯電、力晶等已分別以獨資或合資方式在大陸建造晶圓代工廠，三星電子在中國的最大投資是西安的閃存制造廠，并沒有在大陸設立晶圓代工廠的計劃。

　　三星的晶圓代工晶圓廠主要有三個廠址，包括位于韓國的8寸晶圓廠S1、位于美國得州的12寸晶圓廠S2、以及位于韓國京畿道華城市的12寸晶圓廠S3。另外，三星也將與臺積電一樣，提供后段封測服務。而三星預估今年包含晶圓代工的月產能將達13.5～14萬片12寸晶圓及19萬片8寸晶圓，且預估至2017年底產能將擴充約15%。

　　隨著臺積電宣布今年底將量產10納米制程，2018年開始量產7納米制程，三星也在技術論壇中說明先進制程布局，包括今年底可望開始進行10納米試產，但將跳過采用浸潤式微影技術的7納米，直接推出采用EUV微影技術的7納米，預計至2018年底EUV技術可在250W光源下每天生產1500片晶圓。三星認為，7納米采用EUV可以更好控制成本，有助于爭取先進制程晶圓代工訂單。

　　三星認為在中國國內的移動支付、無人機、電動車、自駕車等供應鏈有很好的創新，也將帶來新機會，所以除了支持先進制程，也將在明年第二季開始，提供可支持物聯網及汽車電子的28納米FD-SOI制程。同時，三星也將開放8寸廠產能，配合本身在內存市場的優勢提供65納米嵌入式閃存(eFlash)制程，以及70納米高壓制程，爭取大陸市場模擬IC、CMOS圖像感測器、LCD驅動IC等代工訂單。