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业界高层预言NAND市场8大趋势

2009-08-25
作者:来源:电子工程专辑

在近日于美國舉行的閃存高峰會(Flash Memory Summit)上,一位業界高層對NAND市場做出了大膽的預測。在專題演說中,SanDisk創辦人暨總裁、執行長Eli Harari警告,NAND產業正處于“十字路口”,主要是因為市場產能供應與需求之間存在“隔閡”。

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以下是Harari對NAND閃存市場的8個預言:


1. 產業已經開始復蘇。在經歷衰退之后,NAND正朝向復蘇之路,目前的市場供需平衡處于較佳的狀態。


2. NAND平均價格(ASP)并沒有像過去下跌得那么快。預計在2010~2013年之間,NAND價格的年衰退幅度在40%左右;而該數字在2005年~2009年之間大約是60%。


3. 多位(multi-bit)技術持續當道。在2009年~2015年之間,x3 (3-bit-per-cell)與x4 (4-bit-per-cell)技術將會取代目前的2-bit-per-cell主流技術。


4. 受管理型(Managed) NAND將成市場主角。控制器芯片將成為NAND市場關鍵,以支持NAND包括固態硬盤(SSD)在內的不同應用;未來市場焦點將會由未加工(raw) NAND──或者說是離散式零件──轉向受管理型NAND。


5. NAND仍將稱霸通用內存技術。在NAND之外尚未誕生可行的通用內存技術,包括FRAM、MRAM與相變化(phase-change)內存等等,都還上不了臺面。


6. 3D技術可望冒出頭。3D讀寫(3-D read/write)有可能從通用內存技術競爭中嶄露頭角;SanDisk與Toshiba正在研發可能取代NAND的3D技術。不過盡管材料上能取得突破,向3D內存技術的轉移還需要數年時間。


7. 18吋晶圓技術是未知數。NAND廠應該不會從12吋晶圓轉向18吋晶圓,所需的資本支出成本實在太高。


8. 超紫外光(EUV)技術瀕臨危機。目前的先進NAND制程是采用193納米浸潤式微影(immersion lithography);而NAND供貨商們將會發現要轉向EUV是件困難的工作。

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