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东芝和日本半导体提出新方法 可优化LDMOS中的HBM容差并抑制导通电阻
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埃赋隆宣布面向ISM应用推出业界最耐用的2kW RF功率LDMOS晶体管
發(fā)表于：2019/5/12 下午9:11:01
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發(fā)表于：2019/5/11 下午7:25:51
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AI芯天下 | 技术：硅基氮化镓，5G时代的倚天剑
發(fā)表于：2018/10/18 上午6:00:00
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5G发展将带动RF功率元件需求成长
發(fā)表于：2017/8/8 上午5:00:00
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GAN将逐渐取代LDMOS
發(fā)表于：2017/7/30 上午5:00:00
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高速1553总线分立器件收发器设计
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当硅基代替碳化硅 氮化镓变得无可挑剔
發(fā)表于：2016/4/26 上午11:30:00
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MACOM推出用于无线基站的全新高性能氮化镓功率晶体管系列
發(fā)表于：2016/2/24 下午11:53:00
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MACOM宣称将打破氮化镓大规模商用壁垒
發(fā)表于：2015/11/5 下午1:45:00
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科锐与RFHIC 公司达成关键Doherty放大器专利许可协议
發(fā)表于：2011/12/20 下午2:39:17
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电平位移电路应用于负电源的设计
發(fā)表于：2011/8/23 上午12:00:00
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IR坚固可靠的高压栅级驱动IC采用PQFN4x4封装减少高达85% 占位面积
發(fā)表于：2011/6/28 下午12:58:44
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采用BCDMOS技术的电流模降压型DC-DC转换器功率级设计
發(fā)表于：2011/6/27 下午2:14:00
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恩智浦正式启动高性能射频设计大赛
發(fā)表于：2011/1/26 下午7:02:53
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宽带功率放大器的设计
發(fā)表于：2011/1/2 上午12:00:00
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宏力半导体发布中国首个0.18微米电压可调CDMOS制程及其对应的先进设计工具包
發(fā)表于：2010/12/17 下午5:28:06
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飞思卡尔新RF功率产品降低了面向多载波无线基站的放大器复杂性和运营成本
發(fā)表于：2010/10/8 上午8:49:40
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恩智浦发布120W DVB-T输出功率LDMOS超高频晶体管
發(fā)表于：2010/9/29 上午10:19:14
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