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Nexperia推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET
發表于:2023/12/11 下午1:12:00
FET 生物传感器的直流I-V 特性研究
發表于:2023/11/22 下午1:38:00
Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET
發表于:2023/5/10 下午6:58:00
Diodes公司推出智能型高侧切换器适用于驱动12V车用装置负载
發表于:2023/2/28 下午9:19:08
UnitedSiC(现已被 Qorvo收购)为功率设计扩展高性能且高效的750V SiC FET产品组合 —— 7 款 D2PAK 表贴器件提供出色的灵活性
發表于:2022/8/4 下午7:41:00
UnitedSiC(现名Qorvo)宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET
發表于:2022/5/11 下午5:50:53
各种新型FET争先亮相
發表于:2021/10/29 上午11:38:55
TI GaN“新势力”,首款GaN FET定位于汽车和工业应用
發表于:2020/12/8 上午10:44:00
单片机上拉电阻应该如何选择?你知道吗?
發表于:2020/5/25 上午10:25:49
Transphorm发布第二款900V GaN FET
發表于:2019/6/27 下午5:31:50
对更高功率密度的需求推动电动工具创新解决方案
發表于:2019/5/25 下午7:01:54
支持瓦特到千瓦级应用的氮化镓技术
發表于:2019/4/25 上午9:48:46
次5nm 2D材料可望突破摩尔定律限制?
發表于:2017/7/21 下午1:17:00
优化您的汽车USB防电池短路设计——第2部分
發表于:2016/10/26 下午9:48:00
智能 GaN FET安全开关参考设计
發表于:2016/6/27 下午1:13:00
TI推出业界首款 100 V 高压侧 FET 驱动器 可驱动高电压电池
發表于:2016/2/23 下午10:27:00
半导体进入微缩时代 成本依旧是决定性关键
發表于:2015/11/23 上午8:00:00
被高通抛弃的台积电 晶圆代工如何抵抗三星?
發表于:2015/7/29 上午8:00:00
4GHz 放大器在 –40ºC 至 85ºC 温度范围内 实现 <1pA 输入偏置电流
發表于:2015/5/14 下午4:12:00
电源设计小贴士46:正确地同步降压 FET 时序
發表于:2012/11/14 下午4:19:08
设计一款超低噪声的S频段放大器
發表于:2012/8/29 下午4:10:46
支持13节电池的超低功耗锂离子电池保护LSI实现量产
發表于:2012/8/28 下午2:31:36
为轻载工作而设计的非同步降压稳压器
發表于:2012/7/3 下午6:57:00
设计简易的隔离式偏压电源
發表于:2012/6/25 下午1:41:42
用智能MOSFET提升医疗设计可靠性及性能
發表于:2012/4/13 下午4:25:50
将升压稳压器用在额定电压以上
發表于:2012/3/31 下午2:21:23
用射频开关优化智能手机信号的设计研究
發表于:2011/11/2 上午12:00:00
医疗电子技术降低医疗保健成本
發表于:2011/5/18 上午12:00:00
如何保护断电放大器
發表于:2011/1/3 上午12:00:00
选择高压场效应管实现节能
發表于:2010/12/14 上午12:00:00
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